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Ultra shallow Junction Formation and Dopant Activation Study of Ga Implanted Si” 1-gen-2005 R., Gwilliam; Gennaro, Salvatore; G., Claudio; B. J., Sealy; C., Mulchay; S., Biswas
Dual carbon effect on electrical properties of high dose indium implants in silicon 1-gen-2005 Gennaro, Salvatore; B. J., Sealy; R. M., Gwilliam
Suppression of boron interstitial clusters in SOI using vacancy engineering 1-gen-2005 A. J., Smith; B., Colombeau; R., Gwilliam; N. E. B., Cowern; B. J., Sealy; M., Milosavljevic; E., Collart; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Diffusion of indium implanted in silicon: the effect of the pre-amorphisation treatment and of the presence of carbon 1-gen-2005 Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; B. J., Sealy; R., Gwilliam
An EXAFS investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D'Acapito; R., Doherty; M. A., Foad
Junction Stability of B Doped Layers in SOI Formed with Optimized Vacancy Engineering Implants 1-gen-2006 A. J., Smith; N. E. B., Cowern; B., Colombeau; R., Gwilliam; B. J., Sealy; E. J. H., Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Nonconventional flash annealing on shallow indium implants in silicon 1-gen-2006 Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; J., Foggiato; W. S., Yoo; R., Gwilliam
The Effect Of Flash Annealing On The Electrical Properties Of Indium/Carbon Co-Implants in Silicon 1-gen-2006 Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; J., Foggiato; W. S., Yoo; R., Gwilliam; Anderle, Mariano
Deactivation of Ultra Shallow B and BF2 Profiles after Non-melt Laser Annealing 1-gen-2006 J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; K. J., Kirkby
Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator 1-gen-2006 A. J., Smith; N. E. B., Cowern; R., Gwilliam; B. J., Sealy; Benjamin, Colombeau; Eric, Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
An EXAFS Investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D`acapito; R., Doherty; M., Foad
Deactivation of low energy boron implants into preamorphized Si after non-melt laser annealing with multiple scans 1-gen-2006 J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; K. J., Kirkby
Deactivation of ultrashallow implants in preamorphized silicon after nonmelt laser annealing with multiple scans 1-gen-2006 J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; K. J., Kirkby; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; F., Cristiano; P., Fazzini
Local Arsenic Structure in Shallow Implants in Si following SPER: an EXAFS and MEIS study, 1-gen-2006 Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; R., Grisenti; M., Werner; J., van den Berg
Boron deactivation in preamorphized silicon on insulator: Efficiency of the buried oxide as an interstitial sink 1-gen-2007 Justin, Hamilton; K. J., Kirkby; Nick, Cowern; Eric, Collart; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; A., Parisini
Multi-technique analytical approach for the study of electrical deactivation of ultra-shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing" 1-gen-2007 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M. A., Foad; R., Doherty; P., Pianetta; J. C., Woicik; M. A., Sahiner
Correlation of local structure and electrical activation in arsenic ultrashallow junctions in silicon 1-gen-2008 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Mehmet, Sahiner; Stephen, Kelty; Roisin, Doherty; Majeed, Foad; Max, Kah; K. J., Kirkby; Joseph, Woicik; P., Pianetta
Surface proximity and boron concentration effects on end-of-range defect formation during nonmelt laser annealing 1-gen-2008 Jim, Sharp; Andy, Smith; Roger, Webb; K. J., Kirkby; Nick, Cowern; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Majeed, Foad; P., Fazzini; Fuccio, Cristiano
P implantation into preamorphized germanium and subsequent annealing: Solid phase epitaxial regrowth, P diffusion, and activation 1-gen-2008 Mathias, Posselt; B., Schmidt; W., Anwand; R., Grötzschel; V., Heera; A., Mücklich; C., Wündisch; W., Skorupa; H., Hortenbach; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; A., Möller; H., Bracht
Secondary ion mass spectrometry analysis applications on semiconductor materials 1-gen-2008 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Canteri, Roberto; Vanzetti, Lia Emanuela; Pepponi, Giancarlo; Anderle, Mariano
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