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Effect of B dose and Ge preamorphization energy on the electrical and structural properties of ultrashallow junctions in silicon-on-insulator 1-gen-2006 J., Hamilton; E., Collart; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; M., Kah; N., Cowern; K. J., Kirkby
An EXAFS investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D'Acapito; R., Doherty; M. A., Foad
Local Arsenic Structure in Shallow Implants in Si following SPER: an EXAFS and MEIS study, 1-gen-2006 Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; R., Grisenti; M., Werner; J., van den Berg
Correlation between silicon-nitride film stress and composition: XPS and SIMS analyses 1-gen-2006 Vanzetti, Lia Emanuela; Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; C., Kompocholis; Bagolini, Alvise; Bellutti, Pierluigi
The Effect Of Flash Annealing On The Electrical Properties Of Indium/Carbon Co-Implants in Silicon 1-gen-2006 Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; J., Foggiato; W. S., Yoo; R., Gwilliam; Anderle, Mariano
Influence of changes in the resistivity of the sample surface on ultra-shallow SIMS profiles for arsenic 1-gen-2006 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J., van den Berg; M., Werner
An EXAFS Investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D`acapito; R., Doherty; M., Foad
Boron Ultra Low Energy SIMS Depth Profiling Improved by Rotating Stage 1-gen-2006 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Anderle
Diffusion and activation of ultrashallow B implants in silicon on insulator. End-of-range defect dissolution and the buried Si/SiO2 interface 1-gen-2006 J., Hamilton; N., Cowern; J., Sharp; K. J., Kirkby; E., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; A., Parisini
Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator 1-gen-2006 A. J., Smith; N. E. B., Cowern; R., Gwilliam; B. J., Sealy; Benjamin, Colombeau; Eric, Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Junction Stability of B Doped Layers in SOI Formed with Optimized Vacancy Engineering Implants 1-gen-2006 A. J., Smith; N. E. B., Cowern; B., Colombeau; R., Gwilliam; B. J., Sealy; E. J. H., Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Nonconventional flash annealing on shallow indium implants in silicon 1-gen-2006 Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; J., Foggiato; W. S., Yoo; R., Gwilliam
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation 1-gen-2006 M., Ferri; S., Solmi; A., Parisini; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario
Effect of buried Si/SiO2 interface on dopant and defect evolution in preamorphizing implant ultrashallow junction 1-gen-2006 J., Hamilton; B., Colombeau; J., Sharp; N., Cowern; K. J., Kirkby; E., Collart; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano
Deactivation of ultrashallow implants in preamorphized silicon after nonmelt laser annealing with multiple scans 1-gen-2006 J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; K. J., Kirkby; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; F., Cristiano; P., Fazzini
Role of the Si/SiO2 interface during dopant diffusion in thin silicon on insulator layers 1-gen-2006 G., Mannino; A., La Magna; V., Privitera; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo
Deactivation of Ultra Shallow B and BF2 Profiles after Non-melt Laser Annealing 1-gen-2006 J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; K. J., Kirkby
Si ultra shallow junctions dopant profiling with ADF-STEM 1-gen-2007 A., Parisini; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Vittorio, Morandi; Pier Giorgio, Merli; Jaap van den, Berg
Multi-technique analytical approach for the study of electrical deactivation of ultra-shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing" 1-gen-2007 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M. A., Foad; R., Doherty; P., Pianetta; J. C., Woicik; M. A., Sahiner
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