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Rotating stage and shallow depth profiling on Cameca SC-Ultra apparatus
2004-01-01 S., Pederzoli; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo
Topography induced by sputtering in a magnetic sector instrument: an AFM and SEM study
2004-01-01 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; A., Lui; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano
Induced roughness by low energy ion bombardment
2004-01-01 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Study of nanoscale structures induced by low energy ion beam
2004-01-01 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo
Short-term and long-term RSF repeatability for CAMECA SC-Ultra SIMS measurements
2004-01-01 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
In-depth analysis of the interfaces in InGaP/GaAs heterosystems
2004-01-01 C., Pelosi; G., Attolini; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; R., Kudela
Shallow BF2 implants in Xe-bombardment-preamorphized Si: the interaction between Xe and F
2005-01-01 M., Werner; J., van den Berg; D. G., Armour; G., Carter; T., Feudel; M., Herden; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; L., Ottaviano; C., Bongiorno; P., Bailey; T. C. Q., Noakes
Electrical activation of solid-phase epitaxially regrown ultra-low energy boron implants in Ge preamorphised silicon and SOI
2005-01-01 J. J., Hamilton; E. J. H., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J. A., Sharp; N. E. B., Cowern; K. J., Kirkby
Understanding the role of buried Si/SiO2 interface on dopant and defect evolution in PAI USJ
2005-01-01 J., Hamilton; E., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J., Sharp; N., Cowern; K. J., Kirkby
Interphase exchange coupling in Fe/Sm–Co bilayers with gradient Fe thickness
2005-01-01 Ming hui, Yu; J., Hattrick Simpers; I., Takeuchi; J., Li; Z. L., Wang; J. P., Liu; S. E., Lofland; S., Tyagi; J. W., Freeland; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants"
2005-01-01 Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M., Werner
Activated dopant effect on low energy SIMS depth profiling
2005-01-01 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
SURFACE INVESTIGATIONS OF ARCHAEOLOGICAL GLASSES BY SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY
2005-01-01 S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., Di Paola
Surface investigation of archeological glasses by secondary ion mass spectrometry
2005-01-01 S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., di Paola
Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam
2005-01-01 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage
2005-01-01 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Ultra shallow junction analysis for technology nodes beyond 65nm
2005-01-01 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Thermodynamical analysis of abrupt interfaces og InGaP/ GaAs and GaAs/ InGaP heterostructures
2005-01-01 C., Pelosi; G., Attolini; M., Bosi; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; N., Musayeva
Boron Ultra Low Energy SIMS Depth Profiling Improved by Rotating Stage
2006-01-01 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Anderle
Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator
2006-01-01 A. J., Smith; N. E. B., Cowern; R., Gwilliam; B. J., Sealy; Benjamin, Colombeau; Eric, Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Rotating stage and shallow depth profiling on Cameca SC-Ultra apparatus | 1-gen-2004 | S., Pederzoli; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo | |
Topography induced by sputtering in a magnetic sector instrument: an AFM and SEM study | 1-gen-2004 | Iacob, Erica; Bersani, Massimo; A., Lui; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano | |
Induced roughness by low energy ion bombardment | 1-gen-2004 | Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano | |
Study of nanoscale structures induced by low energy ion beam | 1-gen-2004 | Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo | |
Short-term and long-term RSF repeatability for CAMECA SC-Ultra SIMS measurements | 1-gen-2004 | Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo | |
In-depth analysis of the interfaces in InGaP/GaAs heterosystems | 1-gen-2004 | C., Pelosi; G., Attolini; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; R., Kudela | |
Shallow BF2 implants in Xe-bombardment-preamorphized Si: the interaction between Xe and F | 1-gen-2005 | M., Werner; J., van den Berg; D. G., Armour; G., Carter; T., Feudel; M., Herden; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; L., Ottaviano; C., Bongiorno; P., Bailey; T. C. Q., Noakes | |
Electrical activation of solid-phase epitaxially regrown ultra-low energy boron implants in Ge preamorphised silicon and SOI | 1-gen-2005 | J. J., Hamilton; E. J. H., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J. A., Sharp; N. E. B., Cowern; K. J., Kirkby | |
Understanding the role of buried Si/SiO2 interface on dopant and defect evolution in PAI USJ | 1-gen-2005 | J., Hamilton; E., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J., Sharp; N., Cowern; K. J., Kirkby | |
Interphase exchange coupling in Fe/Sm–Co bilayers with gradient Fe thickness | 1-gen-2005 | Ming hui, Yu; J., Hattrick Simpers; I., Takeuchi; J., Li; Z. L., Wang; J. P., Liu; S. E., Lofland; S., Tyagi; J. W., Freeland; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano | |
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants" | 1-gen-2005 | Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M., Werner | |
Activated dopant effect on low energy SIMS depth profiling | 1-gen-2005 | Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Iacob, Erica; Bersani, Massimo | |
SURFACE INVESTIGATIONS OF ARCHAEOLOGICAL GLASSES BY SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY | 1-gen-2005 | S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., Di Paola | |
Surface investigation of archeological glasses by secondary ion mass spectrometry | 1-gen-2005 | S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., di Paola | |
Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam | 1-gen-2005 | Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano | |
Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage | 1-gen-2005 | Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo | |
Ultra shallow junction analysis for technology nodes beyond 65nm | 1-gen-2005 | Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo | |
Thermodynamical analysis of abrupt interfaces og InGaP/ GaAs and GaAs/ InGaP heterostructures | 1-gen-2005 | C., Pelosi; G., Attolini; M., Bosi; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; N., Musayeva | |
Boron Ultra Low Energy SIMS Depth Profiling Improved by Rotating Stage | 1-gen-2006 | Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Anderle | |
Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator | 1-gen-2006 | A. J., Smith; N. E. B., Cowern; R., Gwilliam; B. J., Sealy; Benjamin, Colombeau; Eric, Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario |
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