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In-depth analysis of the interfaces in InGaP/GaAs heterosystems 1-gen-2004 C., Pelosi; G., Attolini; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; R., Kudela
Short-term and long-term RSF repeatability for CAMECA SC-Ultra SIMS measurements 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Sample holder implement for very small samples on SC-Ultra SIMS instrument 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; M., Sbetti; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Topography induced by sputtering in a magnetic sector instrument: an AFM and SEM study 1-gen-2004 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; A., Lui; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano
Arsenic shallow depth profiling: accurate quantification in SiO2/Si stack 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Optimization of secondary ion mass spectrometry ultra-shallow boron profiles using an oblique incidence O2+ beam 1-gen-2004 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
SURFACE INVESTIGATIONS OF ARCHAEOLOGICAL GLASSES BY SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY 1-gen-2005 S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., Di Paola
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants" 1-gen-2005 Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M., Werner
Activated dopant effect on low energy SIMS depth profiling 1-gen-2005 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
Surface investigation of archeological glasses by secondary ion mass spectrometry 1-gen-2005 S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., di Paola
Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage 1-gen-2005 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam 1-gen-2005 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Ultra shallow junction analysis for technology nodes beyond 65nm 1-gen-2005 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Interphase exchange coupling in Fe/Sm–Co bilayers with gradient Fe thickness 1-gen-2005 Ming hui, Yu; J., Hattrick Simpers; I., Takeuchi; J., Li; Z. L., Wang; J. P., Liu; S. E., Lofland; S., Tyagi; J. W., Freeland; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Electrical activation of solid-phase epitaxially regrown ultra-low energy boron implants in Ge preamorphised silicon and SOI 1-gen-2005 J. J., Hamilton; E. J. H., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J. A., Sharp; N. E. B., Cowern; K. J., Kirkby
Shallow BF2 implants in Xe-bombardment-preamorphized Si: the interaction between Xe and F 1-gen-2005 M., Werner; J., van den Berg; D. G., Armour; G., Carter; T., Feudel; M., Herden; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; L., Ottaviano; C., Bongiorno; P., Bailey; T. C. Q., Noakes
Understanding the role of buried Si/SiO2 interface on dopant and defect evolution in PAI USJ 1-gen-2005 J., Hamilton; E., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J., Sharp; N., Cowern; K. J., Kirkby
Thermodynamical analysis of abrupt interfaces og InGaP/ GaAs and GaAs/ InGaP heterostructures 1-gen-2005 C., Pelosi; G., Attolini; M., Bosi; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; N., Musayeva
Effect of B dose and Ge preamorphization energy on the electrical and structural properties of ultrashallow junctions in silicon-on-insulator 1-gen-2006 J., Hamilton; E., Collart; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; M., Kah; N., Cowern; K. J., Kirkby
Deactivation of low energy boron implants into preamorphized Si after non-melt laser annealing with multiple scans 1-gen-2006 J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; K. J., Kirkby
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