IRIS Institutional Research Information System

Sfoglia per Autore  

Opzioni
Mostrati risultati da 21 a 40 di 205
Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Ultra Shallow Depth Profiling by Secondary Ion Mass Spectrometry Techniques 1-gen-2003 Anderle, Mariano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Lazzeri, Paolo
In situ sputtering rate measurement by laser interferometer applied to SIMS analyses 1-gen-2003 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Bertoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Anderle, Mariano
Transient enhanced diffusion of arsenic in silicon 1-gen-2003 S., Solmi; M., Ferri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; V., Soncini
Hydrogen as a probe of the electronic properties of (InGa)(AsN)/GaAs heterostructures 1-gen-2003 A. Bissiri M., Polimeni; Höger von Högersthal G., Baldassarri; M., Capizzi; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; D., Gollub; M., Fischer; A., Forchel
Diffusion and electrical activation of indium in silicon 1-gen-2003 Silvia, Scalese; M., Italia; Antonio La, Magna; G., Mannino; V., Privitera; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Solmi; P., Pichler
Ultra shallow junctions: Analytical solutions for 90 nm technology node" 1-gen-2003 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; P., Lazzeri; M., Anderle
Topography developed by sputtering in a magnetic sector instruments: an AFM and SEM study’ 1-gen-2003 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; Lui, Alberto; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano
In situ sputtering rate measurement by laser interferometer applied to SIMS analyses 1-gen-2003 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; E., Boscolo; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Anderle, Mariano
Diffusion and electrical activation of indium in silicon 1-gen-2003 Silvia, Scalese; M., Italia; Antonio La, Magna; G., Mannino; V., Privitera; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Sandro, Solmi; P., Pichler
Boron ultra shallow SIMS profiles optimization using oblique incidence oxygen beam 1-gen-2003 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; E., Boscolo; M., Anderle; Bersani, Massimo
D-SIMS and ToF-SIMS quantitative depth profiles comparison on ultra thin oxynitrides 1-gen-2003 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Lazzeri, Paolo; B., Crivelli; F., Zanderigo
Short-term and long-term RSF repeatability for CAMECA SC-Ultra SIMS measurements 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Optimization of secondary ion mass spectrometry ultra-shallow boron profiles using an oblique incidence O2+ beam 1-gen-2004 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Sample holder implement for very small samples on SC-Ultra SIMS instrument 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; M., Sbetti; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Arsenic shallow depth profiling: accurate quantification in SiO2/Si stack 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
In-depth analysis of the interfaces in InGaP/GaAs heterosystems 1-gen-2004 C., Pelosi; G., Attolini; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; R., Kudela
Non destructive dose determination and depth profiling of arsenic ultrashallow junctions with total reflection X-ray fluorescence analysis compared to dynamic secondary ion mass spectrometry 1-gen-2004 Pepponi, Giancarlo; C., Streli; P., Wobrauschek; N., Zoeger; K., Leuning; P., Pianetta; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo
The interaction between Xe and F in Si (100) pre-amorphised with 20 keV Xe and implanted with low energy BF2 1-gen-2004 M., Werner; J., van den Berg; D. G., Armour; G., Carter; T., Feudel; Marc, Herden; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; P., Bailey; T. C. Q., Noakes
As ultra shallow depth profiling: comparison between SIMS and MEIS techniques 1-gen-2004 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo; J. A., van den Berg; M., Werner
SIMS analytical conditions optimized to reduce the morphology induced by sputtering with an oblique O2+ beam 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
Mostrati risultati da 21 a 40 di 205
Legenda icone

  •  file ad accesso aperto
  •  file disponibili sulla rete interna
  •  file disponibili agli utenti autorizzati
  •  file disponibili solo agli amministratori
  •  file sotto embargo
  •  nessun file disponibile