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Ultra thin NO/N2O oxinitride dielectric for advanced flash memory application: single wafer and batch technology 1-gen-2000 B., Crivelli; R., Zonca; M. L., Polignano; F., Cazzaniga; M., Alessandri; Bersani, Massimo; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Sbetti; C. G., Xing; G. E., Miner; N., Astici; S., Kupparo; D., Lopes
Effects of donor concentration on transient enhanced diffusion of boron in silicon 1-gen-2000 S., Solmi; Bersani, Massimo
High Quality Thin Oxynitride by RTP annealing of ISSG Oxides for Flash Memory Applications 1-gen-2000 D., Brazzelli; G., Ghidini; B., Crivelli; R., Zonca; Bersani, Massimo
Sub-keV Mass Spectrometry Analyses on Oxynitrided Ultrathin Films 1-gen-2000 M., Sbetti; Bersani, Massimo; Vanzetti, Lia Emanuela; Canteri, Roberto; A., Anderle
Depth profiling and quantification of chlorine and nitrogen in oxynitrides obtained by HTO process 1-gen-2000 Bersani, Massimo; M., Sbettti; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica
Furnace and RTP Nitridation of Ultrathin Oxide Films by NO and N2O: SIMS and ToF-SIMS Characterisation 1-gen-2000 Bersani, Massimo; M., Sbetti; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano
Boron-interstitial silicon clusters and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon 1-gen-2000 Solmi, S; Bersani, Massimo; Sbetti, M; Lundsgaard Hansen, J; Nylandsted Larsen, A
Boron-interstitial silicon cluster and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon 1-gen-2000 S., Solmi; Bersani, Massimo; M., Sbetti; J., Lundsgaard Hansen; A., Nylandsted larsen
XPS and SIMS Depth Profiling of Oxynitrides 1-gen-2000 Vanzetti, Lia Emanuela; Bersani, Massimo; M., Sbetti; Anderle, Mariano
The impact of the nitridation process on the properties of the Si-SiO2 interface 1-gen-2001 M. L., Polignano; M., Alessandri; B., Crivelli; R., Zonca; A. P., Caricato; Bersani, Massimo; M., Sbetti; Vanzetti, Lia Emanuela
SIMS and ToF-SIMS Quantitative Depth profiles Comparison on Ultra Thin Oxynitrides: Ultimate Depth Resolution Analyses 1-gen-2001 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Vanzetti, Lia Emanuela; Lazzeri, Paolo; B., Crivelli; F., Zanderigo
Effects of boron-interstitial silicon clusters on interstitial supersaturation during post-implantation annealing 1-gen-2001 S., Solmi; L., Mancini; S., Milita; M., Servitori; G., Mannino; Bersani, Massimo
D-Sims and TOF-SIMS quantitative depth profiles on ultra thin oxinitrides 1-gen-2001 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; P., Lazzeri; B., Crivelli; F., Zanderigo
Ultrathin Multilayer Dielectrics Analyses by XPS wet-etching and SIMS profile 1-gen-2001 Iacob, Erica; M., Sbetti; Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; B., Crivelli; R., Zonca; F., Zanderigo; M. E., Vitali
MCs+ and MCs2+ Molecular Ions Emission from Transition Metal Silicides 1-gen-2001 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Anderle, Mariano
ToF-SIMS Study of Adhesive Residuals on Device Contact Pads after Wafer Taping and Backgrinding 1-gen-2001 Lazzeri, Paolo; G., Franco; C., Gerardi; A., Privitera; Vanzetti, Lia Emanuela; Bersani, Massimo; Iacob, Erica
XPS and SIMS Depth Profiling of Chlorine in Oxynitrides Obtained by HTO Process 1-gen-2001 Vanzetti, Lia Emanuela; Bersani, Massimo; M., Sbetti; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; R., Zonca; C., Carpanese; F., Zanderigo
Arsenic shallow implant characterization by magnetic sector and time of flight SIMS instruments 1-gen-2002 Bersani, Massimo; Lazzeri, Paolo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Marchi E., Boscolo; Anderle, Mariano
Dependence of the transient enhancement diffusion of B in Si on B concentration and ion implanted dose 1-gen-2002 S., Solmi; G., Mannino; M., Servidori; Bersani, Massimo; L., Mancini; S., Milita; V., Privitera; Anderle, Mariano
Sample topography developed by sputtering in Cameca instruments 1-gen-2002 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; Alberto, Lui; Vanzetti, Lia Emanuela; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano
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