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Add a signal averaging facility to your laboratory microcomputer 1-gen-1984 Davide, Bassi; Boschetti, Andrea; M., Scotoni; Anderle, Mariano; Iannotta, Salvatore; Zen, Mario
Grain boundary segregation of oxygen and carbon in polycrystalline silicon. 1-gen-1987 S., Pizzini; P., Cagnoni; A., Sandrinelli; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
On the silicon dioxide/polycrystalline silicon interface width measurement 1-gen-1988 Giuseppe, Queirolo; S., Manzini; L., Meda; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano; A., Armigliato; S., Frabboni
BF2 Ion Implantation in Silicon: Effects of the In-Flight Ion Dissociation 1-gen-1988 Giuseppe, Queirolo; C., Bresolin; L., Meda; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Structural investigation of Al2O3 formed by ion implantation at various doses 1-gen-1989 P., Pawar; D., Kothari; Arun, Narsale; P., Raole; S., Gogawale; Luis, Guzman; Stefano, Girardi; Dapor, Maurizio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Hydrogen Implantation into (100) Silicon: A Study of the Released Damage 1-gen-1989 L., Meda; G. F., Cerofolini; R., Dierckx; G., Mercurio; M., Servidori; F., Cembali; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; G., Ottaviani; C. L., Claeys; J., Vanhellement
Non-Linear Phenomena in Hydrogen Implantation into (100) Silicon 1-gen-1989 G. F., Cerofolini; L., Meda; C., Volpones; R., Dierckx; G., Mercurio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; F., Cembali; R., Fabbri; M., Servidori
Dependence of Transient Enhanced Diffusion on Defects Depth Position in Ion Implanted Silicon 1-gen-1989 Sandro, Solmi; F., Cembali; R., Fabbri; R., Lotti; M., Servidori; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Reduction of Phosphorus Transient Enhanced Diffusion Due to Extended Defects in Ion Implanted Silicon 1-gen-1989 M., Servidori; F., Cembali; R., Fabbri; E., Gabilli; P., Negrini; S., Solmi; P., Zaumseil; U., Winter; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon 1-gen-1990 G. F., Cerofolini; L., Meda; G., Ottaviani; J., Defayette; R., Dierckx; D., Donelli; M., Orlandini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; C. L., Claeys; J., Vanhellemont; C., Volpones
A Comparison between Zero and Seven Degree of Tilt Implantation of As+, P+ and BF2+ 1-gen-1990 C., Bresolin; C., Zaccherini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Correlation between microstructural and {SIMS} analyses of cast irons inoculated with {CG} alloy 1-gen-1990 Tiziani, A.; Molinari, A.; Canteri, R.; Anderle, M.
Ambient Gas Induced SiC-like Structures in Edge-Defined Film-Fed Growth Polycrystalline Silicon Samples 1-gen-1991 B., Pivac; A., Borghesi; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano
Correlation between Microstructural and SIMS Analysis of Cast Irons Inoculated with CG Alloy 1-gen-1991 A., Tiziani; A., Molinari; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Evidence for Molecular Hydrogen in Single Crystal Silicon 1-gen-1991 L., Meda; G. F., Cerofolini; G., Ottaviani; R., Tonini; F., Corni; R., Balboni; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; R., Dierckx
Low Temperature Dopant Activation of BF2 Implanted Silicon 1-gen-1991 G., Queirolo; C., Bresolin; D., Robba; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; A., Armigliato; G., Ottaviani; S., Frabboni
Sputtered Neutral and Molecular Ion Mass Spectrometries in the Characterization of Multilayer Samples 1-gen-1992 L., Moro; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano
Hydrogen- related complexes as the Stressing Species in High-Fluence, Hydrogen-Implanted, Single Crystal Silicon 1-gen-1992 G. F., Cerofolini; L., Meda; R., Balboni; F., Corni; S., Frabboni; G., Ottaviani; Rita, Tonini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Anomalous Diffusion of Fluorine in Silicon 1-gen-1992 S. P., Jeng; T., Ma; Anderle, Mariano; Gary Wayne, Rubloff; Canteri, Roberto
Comparative analysis of high energy electron diffraction patterns from LB films of Cd- and Pb-stearates 1-gen-1996 V., Klechkovskaya; Anderle, Mariano; Renzo, Antolini; Canteri, Roberto; L., Feigin; E., Rakova; N., Stiopina
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