Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon / G. F., Cerofolini; L., Meda; G., Ottaviani; J., Defayette; R., Dierckx; D., Donelli; M., Orlandini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; C. L., Claeys; J., Vanhellemont; C., Volpones. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - 41(1990), pp. 12607-12618.
Titolo: | Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 1990 |
Rivista: | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11582/4461 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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