Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon

Cerofolini, G. F.; Meda, L.; Ottaviani, G.; Defayette, J.; Dierckx, R.; Donelli, D.; Orlandini, M.; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; Claeys, C. L.; Vanhellemont, J.; Volpones, C.

Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon / G.F. Cerofolini; L. Meda; G. Ottaviani; J. DeFayette; R. Dierckx; D. Donelli; M. Orlandini; Mariano Anderle; Roberto Canteri; C.L. Claeys; J. Vanhellemont; C. Volpones. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS. - ISSN 1098-0121. - 41(1990), pp. 12607-12618.

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Titolo:	Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon
Autori:	G. F. Cerofolini L. Meda G. Ottaviani J. DeFayette R. Dierckx D. Donelli M. Orlandini Anderle, Mariano Canteri, Roberto C. L. Claeys J. Vanhellemont C. Volpones mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1990
Rivista:	PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER AND MATERIALS PHYSICS
Handle:	http://hdl.handle.net/11582/4461
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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