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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Effects of donor concentration on transient enhanced diffusion of boron in silicon 1-gen-2000 S., Solmi; Bersani, Massimo
Electrical activation of solid-phase epitaxially regrown ultra-low energy boron implants in Ge preamorphised silicon and SOI 1-gen-2005 J. J., Hamilton; E. J. H., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; J. A., Sharp; N. E. B., Cowern; K. J., Kirkby
Evolution of arsenic in high fluence plasma immersion ion implanted silicon: Behavior of the as-implanted surface 1-gen-2015 Vishwanath, V.; Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; Koh, A. L.; Steinhauser, G.; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Meirer, Florian; Foad, M. A.
Experimental study by Secondary Ion Mass Spectrometry focused on the relationship between hardness and sputtering rate in hard coatings 1-gen-2017 Onorati, Elena; Iacob, Erica; Bartali, Ruben; Barozzi, Mario; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo
Formation of arsenolite crystals at room temperature after very high dose arsenic implantation in silicon 1-gen-2012 Meirer, Florian; Giubertoni, Damiano; Demenev, Evgeny; Vanzetti, Lia Emanuela; Gennaro, Salvatore; Fedrizzi, Michele; Pepponi, Giancarlo; A., Mehta; P., Pianetta; G., Steinhauser; V., Vishwanath; M., Foad; Bersani, Massimo
Grazing incidence x-ray fluorescence and secondary ion mass spectrometry combined approach for the characterization of ultrashallow arsenic distribution in silicon 1-gen-2010 Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Meirer, Florian; D., Ingerle; G., Steinhauser; C., Streli; P., Hoenicke; B., Beckhoff
High Quality Thin Oxynitride by RTP annealing of ISSG Oxides for Flash Memory Applications 1-gen-2000 D., Brazzelli; G., Ghidini; B., Crivelli; R., Zonca; Bersani, Massimo
Highly sensitive detection of inorganic contamination 1-gen-2009 B., Beckhoff; A., Nutsch; R., Altmann; G., Borionetti; C., Pello; M. L., Polignano; D., Codegoni; S., Grasso; E., Cazzini; Bersani, Massimo; Lazzeri, Paolo; Gennaro, Salvatore; M., Kolbe; M., Mueller; P., Kregsamer; F., Posch
Hydrogen as a probe of the electronic properties of (InGa)(AsN)/GaAs heterostructures 1-gen-2003 A. Bissiri M., Polimeni; Höger von Högersthal G., Baldassarri; M., Capizzi; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; D., Gollub; M., Fischer; A., Forchel
Hydrogen diffusion in GaAs1−xNx 1-gen-2009 Rinaldo, Trotta; Giubertoni, Damiano; Antonio, Polimeni; Bersani, Massimo; Mario, Capizzi; F., Martelli; S., Rubini; G., Bisognin; Marina, Berti
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Tipologia
  • 1 Contributo su Rivista 113
  • 1 Contributo su Rivista::1.1 Arti... 113
Autore
  • Giubertoni, Damiano 59
  • Barozzi, Mario 34
  • Vanzetti, Lia Emanuela 29
  • Anderle, Mariano 19
  • Gennaro, Salvatore 19
  • Iacob, Erica 19
  • Pepponi, Giancarlo 13
  • Lazzeri, Paolo 10
  • Demenev, Evgeny 9
  • Meirer, Florian 7
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2022 2
  • 2010 - 2019 30
  • 2000 - 2009 76
  • 1997 - 1999 5
Editore
  • Elsevier 17
  • American Institute of Physics 14
  • AVS 3
  • Wiley 3
  • EDP Sciences 1
  • IOP Publishing 1
  • Scientific.net 1
  • Springer 1
Rivista
  • APPLIED SURFACE SCIENCE 15
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 11
  • JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHN... 10
  • APPLIED PHYSICS LETTERS 9
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 7
  • NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN ... 5
  • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING... 4
  • PHYSICA STATUS SOLIDI. C 4
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 4
  • DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID ... 2
Keyword
  • SIMS 26
  • silicon 25
  • diffusion 18
  • annealing 16
  • ion implantation 16
  • boron 10
  • arsenic 9
  • elemental semiconductors 9
  • semiconductor doping 9
  • doping profiles 8
Lingua
  • eng 97
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Accesso al fulltext
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