RicercaInizia una nuova ricerca
NOTA: è possibile cercare una corrispondenza esatta usando i doppi apici, ad es: "evoluzione della specie". Qualora si cerchi un identificativo, è consigliabile cercarlo in due modi differenti: tra apici con caratteri speciali es: "978-94-6366-274" oppure senza caratteri speciali solo come sequenza numerica: es 978946366274.
Cronache di laboratorio/Monitoraggio ambientale: Caccia ai pollini allergenici
2008-01-01 Bersani, Massimo; Antonella, Cristofori; Fabiana, Cristofolini; Dell'Anna, Rossana; Elena, Gottardini; Stella, Grando; Paolo, Lazzeri; Sara, Longhi
D-SIMS and ToF-SIMS quantitative depth profiles comparison on ultra thin oxynitrides
2003-01-01 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Lazzeri, Paolo; B., Crivelli; F., Zanderigo
Deactivation of submelt laser annealed arsenic ultrashallow junctions in silicon during subsequent thermal treatment
2010-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Mehmet Alper, Sahiner; Stephen P., Kelty; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Max, Kah; Karen J., Kirkby; Roisin, Doherty; Majeed A., Foad; Meirer, Florian; C., Streli; Joseph C., Woicik; Piero, Pianetta
Deactivation of ultrashallow implants in preamorphized silicon after nonmelt laser annealing with multiple scans
2006-01-01 J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; K. J., Kirkby; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; F., Cristiano; P., Fazzini
Dependence of the transient enhancement diffusion of B in Si on B concentration and ion implanted dose
2002-01-01 S., Solmi; G., Mannino; M., Servidori; Bersani, Massimo; L., Mancini; S., Milita; V., Privitera; Anderle, Mariano
Depth profile investigations of silicon nanocrystals formed in sapphire by ion implantation
2007-01-01 Selcuk, Yerci; I., Yildiz; M., Kulacki; U., Serincan; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo
Deuterium depth profile quantification in a ASDEX Upgrade divertor tile using secondary ion mass spectrometry
2014-01-01 F., Ghezzi; R., Caniello; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; A., Hakola; M., Mayer; V., Rohde; M., Anderle; ASDEX Upgrade, Team
Development of nano-roughness under SIMS ion sputtering of germanium surfaces
2013-01-01 Iacob, Erica; Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo
Development of nanotopography during SIMS characterization of thin films of Ge1−xSnx alloy
2015-01-01 Secchi, Maria; Demenev, Evgeny; C, ; Colaux, J. L.; Giubertoni, Damiano; Dell'Anna, Rossana; Iacob, Erica; Gwilliam, R. M.; Jeynes, C.; Bersani, Massimo
Differential Hall characterisation of ultrashallow doping in advanced Si-based materials
2008-01-01 Nick, Bennett; N. E. B., Cowern; A. J., Smith; Max, Kah; R., Gwilliam; B. J., Sealy; T. C. Q., Noakes; P., Bailey; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
Cronache di laboratorio/Monitoraggio ambientale: Caccia ai pollini allergenici | 1-gen-2008 | Bersani, Massimo; Antonella, Cristofori; Fabiana, Cristofolini; Dell'Anna, Rossana; Elena, Gottardini; Stella, Grando; Paolo, Lazzeri; Sara, Longhi | |
D-SIMS and ToF-SIMS quantitative depth profiles comparison on ultra thin oxynitrides | 1-gen-2003 | Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Lazzeri, Paolo; B., Crivelli; F., Zanderigo | |
Deactivation of submelt laser annealed arsenic ultrashallow junctions in silicon during subsequent thermal treatment | 1-gen-2010 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Mehmet Alper, Sahiner; Stephen P., Kelty; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Max, Kah; Karen J., Kirkby; Roisin, Doherty; Majeed A., Foad; Meirer, Florian; C., Streli; Joseph C., Woicik; Piero, Pianetta | |
Deactivation of ultrashallow implants in preamorphized silicon after nonmelt laser annealing with multiple scans | 1-gen-2006 | J., Sharp; N., Cowern; R., Webb; K. J., Kirkby; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M., Foad; F., Cristiano; P., Fazzini | |
Dependence of the transient enhancement diffusion of B in Si on B concentration and ion implanted dose | 1-gen-2002 | S., Solmi; G., Mannino; M., Servidori; Bersani, Massimo; L., Mancini; S., Milita; V., Privitera; Anderle, Mariano | |
Depth profile investigations of silicon nanocrystals formed in sapphire by ion implantation | 1-gen-2007 | Selcuk, Yerci; I., Yildiz; M., Kulacki; U., Serincan; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo | |
Deuterium depth profile quantification in a ASDEX Upgrade divertor tile using secondary ion mass spectrometry | 1-gen-2014 | F., Ghezzi; R., Caniello; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; A., Hakola; M., Mayer; V., Rohde; M., Anderle; ASDEX Upgrade, Team | |
Development of nano-roughness under SIMS ion sputtering of germanium surfaces | 1-gen-2013 | Iacob, Erica; Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo | |
Development of nanotopography during SIMS characterization of thin films of Ge1−xSnx alloy | 1-gen-2015 | Secchi, Maria; Demenev, Evgeny; C, ; Colaux, J. L.; Giubertoni, Damiano; Dell'Anna, Rossana; Iacob, Erica; Gwilliam, R. M.; Jeynes, C.; Bersani, Massimo | |
Differential Hall characterisation of ultrashallow doping in advanced Si-based materials | 1-gen-2008 | Nick, Bennett; N. E. B., Cowern; A. J., Smith; Max, Kah; R., Gwilliam; B. J., Sealy; T. C. Q., Noakes; P., Bailey; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo |
Legenda icone
- file ad accesso aperto
- file disponibili sulla rete interna
- file disponibili agli utenti autorizzati
- file disponibili solo agli amministratori
- file sotto embargo
- nessun file disponibile
Opzioni
Scopri
Tipologia
- 1 Contributo su Rivista 113
- 1 Contributo su Rivista::1.1 Arti... 113
Data di pubblicazione
- 2020 - 2022 2
- 2010 - 2019 30
- 2000 - 2009 76
- 1997 - 1999 5
Editore
- Elsevier 17
- American Institute of Physics 14
- AVS 3
- Wiley 3
- EDP Sciences 1
- IOP Publishing 1
- Scientific.net 1
- Springer 1
Rivista
- APPLIED SURFACE SCIENCE 15
- JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 11
- JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHN... 10
- APPLIED PHYSICS LETTERS 9
- SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 7
- NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN ... 5
- MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING... 4
- PHYSICA STATUS SOLIDI. C 4
- SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 4
- DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID ... 2
Keyword
- SIMS 26
- silicon 25
- diffusion 18
- annealing 16
- ion implantation 16
- boron 10
- arsenic 9
- elemental semiconductors 9
- semiconductor doping 9
- doping profiles 8
Lingua
- eng 97
- ita 1
Accesso al fulltext
- no fulltext 106
- reserved 5
- open 1
- restricted 1