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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Diffusion and activation of ultrashallow B implants in silicon on insulator. End-of-range defect dissolution and the buried Si/SiO2 interface 1-gen-2006 J., Hamilton; N., Cowern; J., Sharp; K. J., Kirkby; E., Collart; B., Colombeau; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; A., Parisini
Diffusion and electrical activation of indium in silicon 1-gen-2003 Silvia, Scalese; M., Italia; Antonio La, Magna; G., Mannino; V., Privitera; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Solmi; P., Pichler
Diffusion and electrical activation of indium in silicon 1-gen-2003 Silvia, Scalese; M., Italia; Antonio La, Magna; G., Mannino; V., Privitera; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Sandro, Solmi; P., Pichler
Diffusion of implanted nitrogen in germanium. 1-gen-2013 Skarlatos, D.; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; Vouroutzis, N. Z.; Ioannou Sougleridis, V.
Diffusion of indium implanted in silicon: the effect of the pre-amorphisation treatment and of the presence of carbon 1-gen-2005 Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; B. J., Sealy; R., Gwilliam
Dynamic secondary ion mass spectrometry and X-ray photoelectron spectroscopy on artistic bronze and copper artificial patinas 1-gen-2009 I. Z., Balta; Simone, Pederzoli; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
Effect of buried Si/SiO2 interface on dopant and defect evolution in preamorphizing implant ultrashallow junction 1-gen-2006 J., Hamilton; B., Colombeau; J., Sharp; N., Cowern; K. J., Kirkby; E., Collart; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano
Effect of hydrogen incorporation temperature in in plane -engineered GaAsN/GaAsN:H heterostructures 1-gen-2008 Rinaldo, Trotta; Antonio, Polimeni; Mario, Capizzi; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; G., Bisognin; Marina, Berti; S., Rubini; F., Martelli; L., Mariucci; M., Francardi; A., Gerardino
Effect of the tilt angle on antimony in silicon implanted wafers 1-gen-2004 G., Claudio; K. J., Kirkby; Bersani, Massimo; R., Low; B. J., Sealy; R., Gwilliam
Effects of boron-interstitial silicon clusters on interstitial supersaturation during post-implantation annealing 1-gen-2001 S., Solmi; L., Mancini; S., Milita; M., Servitori; G., Mannino; Bersani, Massimo
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Tipologia
  • 1 Contributo su Rivista 113
  • 1 Contributo su Rivista::1.1 Arti... 113
Autore
  • Giubertoni, Damiano 59
  • Barozzi, Mario 34
  • Vanzetti, Lia Emanuela 29
  • Anderle, Mariano 19
  • Gennaro, Salvatore 19
  • Iacob, Erica 19
  • Pepponi, Giancarlo 13
  • Lazzeri, Paolo 10
  • Demenev, Evgeny 9
  • Meirer, Florian 7
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2022 2
  • 2010 - 2019 30
  • 2000 - 2009 76
  • 1997 - 1999 5
Editore
  • Elsevier 17
  • American Institute of Physics 14
  • AVS 3
  • Wiley 3
  • EDP Sciences 1
  • IOP Publishing 1
  • Scientific.net 1
  • Springer 1
Rivista
  • APPLIED SURFACE SCIENCE 15
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 11
  • JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHN... 10
  • APPLIED PHYSICS LETTERS 9
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 7
  • NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN ... 5
  • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING... 4
  • PHYSICA STATUS SOLIDI. C 4
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 4
  • DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID ... 2
Keyword
  • SIMS 26
  • silicon 25
  • diffusion 18
  • annealing 16
  • ion implantation 16
  • boron 10
  • arsenic 9
  • elemental semiconductors 9
  • semiconductor doping 9
  • doping profiles 8
Lingua
  • eng 97
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Accesso al fulltext
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