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High-k dielectrics as SrxTi1-xOy (STO) are of great interest for the development of dynamic random access memory (DRAM) devices. The characterization of these nanolayers is important. SIMS depth profiling through TiN and STO films is affected by strong artifacts in different ways. The erosion process causes surface topography modifications both in the TiN/STO/TiN layer system and in the silicon substrate. AFM analyses have been carried out on pristine TiN and STO film surfaces and at various crater depths. Very different roughness evolutions are identified for TiN or STO films, within the SIMS craters sputtered with 500 eV Cs+ while using eucentric stage rotation.
TiN/STO/TiN MIMcaps nanolayers on silicon characterized by SIMS and AFM
High-k dielectrics as SrxTi1-xOy (STO) are of great interest for the development of dynamic random access memory (DRAM) devices. The characterization of these nanolayers is important. SIMS depth profiling through TiN and STO films is affected by strong artifacts in different ways. The erosion process causes surface topography modifications both in the TiN/STO/TiN layer system and in the silicon substrate. AFM analyses have been carried out on pristine TiN and STO film surfaces and at various crater depths. Very different roughness evolutions are identified for TiN or STO films, within the SIMS craters sputtered with 500 eV Cs+ while using eucentric stage rotation.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/115210
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.