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Topography induced by sputtering in a magnetic sector instrument: an AFM and SEM study
2004-01-01 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; A., Lui; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano
Induced roughness by low energy ion bombardment
2004-01-01 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Study of nanoscale structures induced by low energy ion beam
2004-01-01 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo
Porosity- induced effects during C4F8/90% Ar plasma etching of silica-based ultralow-k dielectrics
2005-01-01 Lazzeri, Paolo; X., Hua; G. S., Oehrlein; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Anderle, Mariano
Suppression of boron interstitial clusters in SOI using vacancy engineering
2005-01-01 A. J., Smith; B., Colombeau; R., Gwilliam; N. E. B., Cowern; B. J., Sealy; M., Milosavljevic; E., Collart; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants"
2005-01-01 Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M., Werner
ToF-SIMS and AFM studies of low-k dielectric etching in fluorocarbon plasmas
2005-01-01 Lazzeri, Paolo; X., Hua; G., Oehrlein; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Activated dopant effect on low energy SIMS depth profiling
2005-01-01 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
SURFACE INVESTIGATIONS OF ARCHAEOLOGICAL GLASSES BY SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY
2005-01-01 S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., Di Paola
Surface investigation of archeological glasses by secondary ion mass spectrometry
2005-01-01 S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., di Paola
Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam
2005-01-01 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano
Diffusion of indium implanted in silicon: the effect of the pre-amorphisation treatment and of the presence of carbon
2005-01-01 Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; B. J., Sealy; R., Gwilliam
Homogeneity study of traces in pine pollen with SR-μXRF
2005-01-01 Pepponi, Giancarlo; Lazzeri, Paolo; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; B., Kashani; L., Contardi; N., Zoeger; C., Jokubonis; C., Streli; P., Wobrauscheck; E., Gottardini; F., Corradini; R., Larcher; G., Falkenberg
Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage
2005-01-01 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Ultra shallow junction analysis for technology nodes beyond 65nm
2005-01-01 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
ToF-SIMS and AFM studies of low-k dielectric etching in fluorocarbon plasmas
2006-01-01 P., Lazzeri; X., Hua; G. S., Oehrlein; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; M., Anderle
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation
2006-01-01 M., Ferri; S., Solmi; A., Parisini; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario
Real-time observation and optimization of tungsten ALD process cycle
2006-01-01 W., Lei; L., Henn Lecordier; Anderle, Mariano; G. W., Rubloff; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo
Boron Ultra Low Energy SIMS Depth Profiling Improved by Rotating Stage
2006-01-01 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Anderle
Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator
2006-01-01 A. J., Smith; N. E. B., Cowern; R., Gwilliam; B. J., Sealy; Benjamin, Colombeau; Eric, Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
Topography induced by sputtering in a magnetic sector instrument: an AFM and SEM study | 1-gen-2004 | Iacob, Erica; Bersani, Massimo; A., Lui; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano | |
Induced roughness by low energy ion bombardment | 1-gen-2004 | Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano | |
Study of nanoscale structures induced by low energy ion beam | 1-gen-2004 | Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo | |
Porosity- induced effects during C4F8/90% Ar plasma etching of silica-based ultralow-k dielectrics | 1-gen-2005 | Lazzeri, Paolo; X., Hua; G. S., Oehrlein; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Anderle, Mariano | |
Suppression of boron interstitial clusters in SOI using vacancy engineering | 1-gen-2005 | A. J., Smith; B., Colombeau; R., Gwilliam; N. E. B., Cowern; B. J., Sealy; M., Milosavljevic; E., Collart; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario | |
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants" | 1-gen-2005 | Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M., Werner | |
ToF-SIMS and AFM studies of low-k dielectric etching in fluorocarbon plasmas | 1-gen-2005 | Lazzeri, Paolo; X., Hua; G., Oehrlein; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano | |
Activated dopant effect on low energy SIMS depth profiling | 1-gen-2005 | Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Iacob, Erica; Bersani, Massimo | |
SURFACE INVESTIGATIONS OF ARCHAEOLOGICAL GLASSES BY SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY | 1-gen-2005 | S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., Di Paola | |
Surface investigation of archeological glasses by secondary ion mass spectrometry | 1-gen-2005 | S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., di Paola | |
Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam | 1-gen-2005 | Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano | |
Diffusion of indium implanted in silicon: the effect of the pre-amorphisation treatment and of the presence of carbon | 1-gen-2005 | Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; B. J., Sealy; R., Gwilliam | |
Homogeneity study of traces in pine pollen with SR-μXRF | 1-gen-2005 | Pepponi, Giancarlo; Lazzeri, Paolo; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; B., Kashani; L., Contardi; N., Zoeger; C., Jokubonis; C., Streli; P., Wobrauscheck; E., Gottardini; F., Corradini; R., Larcher; G., Falkenberg | |
Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage | 1-gen-2005 | Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo | |
Ultra shallow junction analysis for technology nodes beyond 65nm | 1-gen-2005 | Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo | |
ToF-SIMS and AFM studies of low-k dielectric etching in fluorocarbon plasmas | 1-gen-2006 | P., Lazzeri; X., Hua; G. S., Oehrlein; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; M., Anderle | |
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation | 1-gen-2006 | M., Ferri; S., Solmi; A., Parisini; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario | |
Real-time observation and optimization of tungsten ALD process cycle | 1-gen-2006 | W., Lei; L., Henn Lecordier; Anderle, Mariano; G. W., Rubloff; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo | |
Boron Ultra Low Energy SIMS Depth Profiling Improved by Rotating Stage | 1-gen-2006 | Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Anderle | |
Vacancy-engineering implants for high boron activation in silicon on insulator | 1-gen-2006 | A. J., Smith; N. E. B., Cowern; R., Gwilliam; B. J., Sealy; Benjamin, Colombeau; Eric, Collart; Gennaro, Salvatore; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario |
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