Analysis of low Z elements on Si wafer surfaces with undulator radiation induced total reflection X-ray fluorescence at the PTB beamline at BESSY II

Christina, Streli; Pepponi, Giancarlo; Peter, Wobrauschek; Beckhoff, B.; Ulm, G.; Siegfried, Pahlke; Laszlo, Fably; Thomas, Ehmann; Birgid, Kanngiesser; Wolfgang, Malzer; Jark, W.

Analysis of low Z elements on Si wafer surfaces with undulator radiation induced total reflection X-ray fluorescence at the PTB beamline at BESSY II / Christina Streli; Giancarlo Pepponi; Peter Wobrauschek; B Beckhoff; G Ulm; Siegfried Pahlke; Laszlo Fably; Thomas Ehmann; Birgid Kanngiesser; Wolfgang Malzer; W Jark. - In: SPECTROCHIMICA ACTA, PART B: ATOMIC SPECTROSCOPY. - ISSN 0584-8547. - 58(2003), pp. 2113-2121.

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Titolo:	Analysis of low Z elements on Si wafer surfaces with undulator radiation induced total reflection X-ray fluorescence at the PTB beamline at BESSY II
Autori:	Christina Streli Pepponi, Giancarlo Peter Wobrauschek B. Beckhoff G. Ulm Siegfried Pahlke Laszlo Fably Thomas Ehmann Birgid Kanngiesser Wolfgang Malzer W. Jark mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2003
Rivista:	SPECTROCHIMICA ACTA, PART B: ATOMIC SPECTROSCOPY
Handle:	http://hdl.handle.net/11582/3847
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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