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Multi-technique analytical approach for the study of electrical deactivation of ultra-shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing"
2007-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M. A., Foad; R., Doherty; P., Pianetta; J. C., Woicik; M. A., Sahiner
Multi-technique characterization of arsenic and boron ultra low energy implants in silicon within the ANNA consortium.
2009-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; B., Beckhoff; P., Hoenicke; Gennaro, Salvatore; Meirer, Florian; D., Ingerle; G., Steinhauser; M., Fried; P., Petrik; A., Parisini; M. A., Reading; C., Streli; J. A., van den Berg; Bersani, Massimo
Nitrided Silicon-Silicon Dioxide Interface: Electrical And Physico-Chemical Characterization By Complementary Surface Analysis Techniques
2002-01-01 Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; P., Bacciaglia; B., Crivelli; M. L., Polignano; M. E., Vitali
Secondary ion mass spectrometry analysis applications on semiconductor materials
2008-01-01 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Canteri, Roberto; Vanzetti, Lia Emanuela; Pepponi, Giancarlo; Anderle, Mariano
SIMS analytical conditions optimized to reduce the morphology induced by sputtering with an oblique O2+ beam
2004-01-01 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
Surface investigation of archeological glasses by secondary ion mass spectrometry
2005-01-01 S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., di Paola
Technical report ITC-irst/SGS-Thomsn
1998-01-01 M., Sbetti; Bersani, Massimo
Ultra low energy Boron implants in silicon characterization by not-oxidizing secondary ion mass spectrometry analysis and soft-ray grazing incidence x-ray fluorescence techniques.
2009-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; P., Hoenicke; B., Beckhoff; Iacob, Erica; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo
Ultra low energy Boron ion implants in silicon analyzed by not-oxydizing O2+ bombardment and synchrotron radiation grazing incidence x-ray fluorescence
2009-01-01 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; P., Hoenicke; B., Beckhoff
Ultra shallow Boron junctions in silicon characterization by secondary ion mass spectrometry and synchrotron radiation grazing incidence x-ray fluorescence techniques
2009-01-01 Giubertoni, Damiano; P., Hoenicke; B., Beckhoff; Pepponi, Giancarlo; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Multi-technique analytical approach for the study of electrical deactivation of ultra-shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing" | 1-gen-2007 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M. A., Foad; R., Doherty; P., Pianetta; J. C., Woicik; M. A., Sahiner | |
| Multi-technique characterization of arsenic and boron ultra low energy implants in silicon within the ANNA consortium. | 1-gen-2009 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; B., Beckhoff; P., Hoenicke; Gennaro, Salvatore; Meirer, Florian; D., Ingerle; G., Steinhauser; M., Fried; P., Petrik; A., Parisini; M. A., Reading; C., Streli; J. A., van den Berg; Bersani, Massimo | |
| Nitrided Silicon-Silicon Dioxide Interface: Electrical And Physico-Chemical Characterization By Complementary Surface Analysis Techniques | 1-gen-2002 | Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; P., Bacciaglia; B., Crivelli; M. L., Polignano; M. E., Vitali | |
| Secondary ion mass spectrometry analysis applications on semiconductor materials | 1-gen-2008 | Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Canteri, Roberto; Vanzetti, Lia Emanuela; Pepponi, Giancarlo; Anderle, Mariano | |
| SIMS analytical conditions optimized to reduce the morphology induced by sputtering with an oblique O2+ beam | 1-gen-2004 | Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Iacob, Erica; Bersani, Massimo | |
| Surface investigation of archeological glasses by secondary ion mass spectrometry | 1-gen-2005 | S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; G., Giunta; E., di Paola | |
| Technical report ITC-irst/SGS-Thomsn | 1-gen-1998 | M., Sbetti; Bersani, Massimo | |
| Ultra low energy Boron implants in silicon characterization by not-oxidizing secondary ion mass spectrometry analysis and soft-ray grazing incidence x-ray fluorescence techniques. | 1-gen-2009 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; P., Hoenicke; B., Beckhoff; Iacob, Erica; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo | |
| Ultra low energy Boron ion implants in silicon analyzed by not-oxydizing O2+ bombardment and synchrotron radiation grazing incidence x-ray fluorescence | 1-gen-2009 | Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; P., Hoenicke; B., Beckhoff | |
| Ultra shallow Boron junctions in silicon characterization by secondary ion mass spectrometry and synchrotron radiation grazing incidence x-ray fluorescence techniques | 1-gen-2009 | Giubertoni, Damiano; P., Hoenicke; B., Beckhoff; Pepponi, Giancarlo; Iacob, Erica; Bersani, Massimo |
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Data di pubblicazione
- 2010 - 2013 4
- 2000 - 2009 28
- 1998 - 1999 4
Keyword
- SIMS 11
- silicon 9
- arsenic 6
- ion implantation 6
- boron 4
- MEIS 4
- ultra shallow junctions 4
- EXAFS 3
- characterization 2
- doping 2
Lingua
- eng 31
- ita 4
Accesso al fulltext
- no fulltext 36