Pd/Ge ohmic contacts for GaAs metal-semiconductor field effect transistors: technology and performance

Paccagnella, A.; Wang, L.; Canali, C.; Castellaneta, G.; Dapor, Maurizio; Donzelli, G.; Zanoni, E.; Lau, S.

Non alloyed Pd/Ge ohmic contacts have been studied for applications to GaAs power metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) and compared with conventional AuGeNi alloyed contacts.

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Titolo:	Pd/Ge ohmic contacts for GaAs metal-semiconductor field effect transistors: technology and performance
Autori:	A. Paccagnella L. Wang C. Canali G. Castellaneta Dapor, Maurizio G. Donzelli E. Zanoni S. Lau mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1990
Rivista:	THIN SOLID FILMS
Abstract:	Non alloyed Pd/Ge ohmic contacts have been studied for applications to GaAs power metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) and compared with conventional AuGeNi alloyed contacts.
Handle:	http://hdl.handle.net/11582/2823
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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