Non alloyed Pd/Ge ohmic contacts have been studied for applications to GaAs power metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) and compared with conventional AuGeNi alloyed contacts.
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Titolo: | Pd/Ge ohmic contacts for GaAs metal-semiconductor field effect transistors: technology and performance |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 1990 |
Rivista: | |
Abstract: | Non alloyed Pd/Ge ohmic contacts have been studied for applications to GaAs power metal-semiconductor field effect transistors (MESFETs) and compared with conventional AuGeNi alloyed contacts. |
Handle: | http://hdl.handle.net/11582/2823 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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