We have produced Ti-N films with d.c. reactive sputtering at different nitrogen concentrations. The experimental results of resistivity vs. WDS K alpha line sihfts indicate a possible relationship between these two quantities.

Stoichiometry in Ti-N barrier layers studied by x-ray emission spectroscopy

Dapor, Maurizio;
1987

Abstract

We have produced Ti-N films with d.c. reactive sputtering at different nitrogen concentrations. The experimental results of resistivity vs. WDS K alpha line sihfts indicate a possible relationship between these two quantities.
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