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We show that the n-type conductivity of the narrow band gap In(AsN) alloy can be increased within a thin (∼100 nm) channel below the surface by the controlled incorporation of H-atoms. This channel has a large electron sheet density of ∼1018 m−2 and a high electron mobility (μ > 0.1 m2V−1s−1 at low and room temperature). For a fixed dose of impinging H-atoms, its width decreases with the increase in concentration of N-atoms that act as H-traps thus forming N-H donor complexes near the surface.
H-tailored surface conductivity in narrow band gap In(AsN)
A. V. Velichko;A. Patanè;M. Capizzi;I. C. Sandall;Giubertoni, Damiano;O. Makarovsky;A. Polimeni;A. Krier;Q. Zhuang;C. H. Tan
2015
Abstract
We show that the n-type conductivity of the narrow band gap In(AsN) alloy can be increased within a thin (∼100 nm) channel below the surface by the controlled incorporation of H-atoms. This channel has a large electron sheet density of ∼1018 m−2 and a high electron mobility (μ > 0.1 m2V−1s−1 at low and room temperature). For a fixed dose of impinging H-atoms, its width decreases with the increase in concentration of N-atoms that act as H-traps thus forming N-H donor complexes near the surface.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/261620
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.