Giubertoni, Damiano

Giubertoni, Damiano  

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A new spectrometer for grazing incidence X-ray fluorescence for the characterization of Arsenic implants and Hf based high-k layers 1-gen-2010 D., Ingerle; Meirer, Florian; N., Zoeger; Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; G., Steinhauser; P., Wobrauschek; C., Streli
Activated dopant effect on low energy SIMS depth profiling 1-gen-2005 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
An EXAFS Investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D`acapito; R., Doherty; M., Foad
An EXAFS investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D'Acapito; R., Doherty; M. A., Foad
Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization 6 (ALTECH 09) 1-gen-2009 B. O., Kolbesen; C., Claeys; L., Fabry; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo
Applicazioni della spettrometria di massa a materiali e tecniche di ultima generazione 1-gen-2000 Bersani, Massimo; M., Sbetti; Lazzeri, Paolo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano
Arsenic redistribution after solid phase epitaxial regrowth of shallow pre-amorphized silicon layers 1-gen-2012 Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; E., Hourdakis; A. G., Nassiopoulou; M. A., Reading; J. A., van den Berg
Arsenic shallow depth profiling: accurate quantification in SiO2/Si stack 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Arsenic shallow implant characterization by magnetic sector and time of flight SIMS instruments 1-gen-2002 Massimo Bersani; Paolo Lazzeri; Damiano Giubertoni; Mario Barozzi; Marchi E. Boscolo; Mariano Anderle
Arsenic Shallow Implant Characterization by Magnetic Sector and TOF-SIMS Instruments 1-gen-2002 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation 1-gen-2006 M. Ferri; S. Solmi; A. Parisini; M. Bersani; D. Giubertoni; M. Barozzi
As ultra shallow depth profiling: comparison between SIMS and MEIS techniques 1-gen-2004 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo; J. A., van den Berg; M., Werner
Binder-free nanostructured germanium anode for high resilience lithium-ion battery 1-gen-2022 Fugattini, S.; Gulzar, U.; Andreoli, A.; Carbone, L.; Boschetti, M.; Bernardoni, P.; Gjestila, M.; Mangherini, G.; Camattari, R.; Li, T.; Monaco, S.; Ricci, M.; Liang, S.; Giubertoni, D.; Pepponi, G.; Bellutti, P.; Ferroni, M.; Ortolani, L.; Morandi, V.; Vincenzi, D.; Zaccaria, R. Proietti
Boron deactivation in preamorphized silicon on insulator: Efficiency of the buried oxide as an interstitial sink 1-gen-2007 Justin, Hamilton; K. J., Kirkby; Nick, Cowern; Eric, Collart; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; A., Parisini
Boron pile-up phenomena during ultra shallow junction formation 1-gen-2007 M., Ferri; Sandro, Solmi; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Justin, Hamilton; Max, Kah; Nick, Cowern; K. J., Kirkby; Eric, Collart
Boron Ultra Low Energy SIMS Depth Profiling Improved by Rotating Stage 1-gen-2006 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Anderle
Boron ultra low energy SIMS depth profiling improved by rotating stage 1-gen-2005 Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Boron ultra shallow SIMS profiles optimization using oblique incidence oxygen beam 1-gen-2003 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; E., Boscolo; M., Anderle; Bersani, Massimo
Calibration correction of ultra low energy SIMS profiles based on MEIS analyses for arsenic shallow implants in silicon 1-gen-2012 Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; J., van den Berg; M., Reading; Bersani, Massimo
Calibration correction of ultra low energy SIMS profiles based on MEIS analysis of shallow arsenic implants in silicon 1-gen-2013 Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; M. A., Reading; P., Bailey; T. C. Q., Noakes; Bersani, Massimo; J. A., van den Berg