Attenzione: i dati modificati non sono ancora stati salvati. Per confermare inserimenti o cancellazioni di voci è necessario confermare con il tasto SALVA/INSERISCI in fondo alla pagina
IRIS
In this paper, we present the results of the charge and time characterization performed on our novel 100-channel silicon photomultiplier. We have improved our previous single-photon-avalanche-diode technology in order to set up a working device with outstanding features in terms of single-photon resolving power up to R = 45, a timing resolution down to 100 ps, and photon-detection efficiency of 14% at 420 nm. Tests were performed, and features were measured as a function of the bias voltage and of the incident photon flux. A dedicated data analysis procedure was developed that allows to extract at once the relevant parameters from the amplitude spectra and to determine the timing features.
Characterization of a Novel 100-Channel Silicon Photomultiplier—Part II: Charge and Time
P. Finocchiaro;A. Pappalardo;L. Cosentino;M. Belluso;S. Billotta;G. Bonanno;B. Carbone;G. Condorelli;S. Di Mauro;G. Fallica;M. Mazzillo;Piazza, Alessandro;D. Sanfilippo;G. Valvo
2008
Abstract
In this paper, we present the results of the charge and time characterization performed on our novel 100-channel silicon photomultiplier. We have improved our previous single-photon-avalanche-diode technology in order to set up a working device with outstanding features in terms of single-photon resolving power up to R = 45, a timing resolution down to 100 ps, and photon-detection efficiency of 14% at 420 nm. Tests were performed, and features were measured as a function of the bias voltage and of the incident photon flux. A dedicated data analysis procedure was developed that allows to extract at once the relevant parameters from the amplitude spectra and to determine the timing features.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/14649
Attenzione
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Citazioni
ND
social impact
simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.