Sfoglia per Autore Canteri, Roberto
Grain boundary segregation of oxygen and carbon in polycrystalline silicon.
1987-01-01 S., Pizzini; P., Cagnoni; A., Sandrinelli; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
On the silicon dioxide/polycrystalline silicon interface width measurement
1988-01-01 Giuseppe, Queirolo; S., Manzini; L., Meda; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano; A., Armigliato; S., Frabboni
BF2 Ion Implantation in Silicon: Effects of the In-Flight Ion Dissociation
1988-01-01 Giuseppe, Queirolo; C., Bresolin; L., Meda; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
BF2+ Ion implantation in silicon
1988-01-01 Queirolo, G.; Bresolin, C.; Meda, L.; Anderle, M.; Canteri, R.
Structural investigation of Al2O3 formed by ion implantation at various doses
1989-01-01 P., Pawar; D., Kothari; Arun, Narsale; P., Raole; S., Gogawale; Luis, Guzman; Stefano, Girardi; Dapor, Maurizio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Dependence of Transient Enhanced Diffusion on Defects Depth Position in Ion Implanted Silicon
1989-01-01 Sandro, Solmi; F., Cembali; R., Fabbri; R., Lotti; M., Servidori; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Reduction of Phosphorus Transient Enhanced Diffusion Due to Extended Defects in Ion Implanted Silicon
1989-01-01 M., Servidori; F., Cembali; R., Fabbri; E., Gabilli; P., Negrini; S., Solmi; P., Zaumseil; U., Winter; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Non-Linear Phenomena in Hydrogen Implantation into (100) Silicon
1989-01-01 G. F., Cerofolini; L., Meda; C., Volpones; R., Dierckx; G., Mercurio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; F., Cembali; R., Fabbri; M., Servidori
Dependence of Anomalous Phosphorus Diffusion in Silicon on Depth Position of Defects Created by Ion Implantation
1989-01-01 Sandro, Solmi; F., Cembali; R., Fabbri; M., Servidori; Canteri, Roberto
Hydrogen Implantation into (100) Silicon: A Study of the Released Damage
1989-01-01 L., Meda; G. F., Cerofolini; R., Dierckx; G., Mercurio; M., Servidori; F., Cembali; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; G., Ottaviani; C. L., Claeys; J., Vanhellement
Shallow junctions fabrication by using molibdenum silicide and rapid thermal annealing
1989-01-01 Angelucci, R.; Merli, M.; Dori, L.; Pizzochero, G.; Solmi, S.; Canteri, R.
Dependence of transient enhanced diffusion on defect depth position in ion implanted silicon
1989-01-01 Solmi, S.; Cembali, F.; Fabbri, R.; Lotti, R.; Servidori, M.; Anderle, M.; Canteri, R.
Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon
1990-01-01 G. F., Cerofolini; L., Meda; G., Ottaviani; J., Defayette; R., Dierckx; D., Donelli; M., Orlandini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; C. L., Claeys; J., Vanhellemont; C., Volpones
A Comparison between Zero and Seven Degree of Tilt Implantation of As+, P+ and BF2+
1990-01-01 C., Bresolin; C., Zaccherini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Correlation between microstructural and {SIMS} analyses of cast irons inoculated with {CG} alloy
1990-01-01 Tiziani, A.; Molinari, A.; Canteri, R.; Anderle, M.
State and evolution of hydrogen implanted in silicon
1990-01-01 Meda, L.; Cerofolini, G. F.; Bresolin, C.; Dierckx, R.; Donelli, D.; Orlandini, M.; Anderle, M.; Canteri, R.; Ottaviani, G.; Tonini, R.; Claeys, C.; Vanhellemont, J.; Pizzini, S.; Farina, S.
Correlation between microstructure and SIMS analyses of cast irons incoulated with CG alloy
1990-01-01 Tiziani, A.; Molinari, A.; Canteri, R.; Anderle, M.
A comparison between zero and seven degrees of tilt implantation of As+, P+ and BF2 +
1990-01-01 Bresolin, C.; Zaccherini, C.; Anderle, M.; Canteri, R.
Low Temperature Dopant Activation of BF2 Implanted Silicon
1991-01-01 G., Queirolo; C., Bresolin; D., Robba; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; A., Armigliato; G., Ottaviani; S., Frabboni
Boron Ion Implantation through Mo and Mo Silicide Layers for Shallow Junction Formation
1991-01-01 R., Angelucci; Sandro, Solmi; A., Armigliato; S., Guerri; M., Merli; A., Poggi; Canteri, Roberto
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Grain boundary segregation of oxygen and carbon in polycrystalline silicon. | 1-gen-1987 | S., Pizzini; P., Cagnoni; A., Sandrinelli; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto | |
On the silicon dioxide/polycrystalline silicon interface width measurement | 1-gen-1988 | Giuseppe, Queirolo; S., Manzini; L., Meda; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano; A., Armigliato; S., Frabboni | |
BF2 Ion Implantation in Silicon: Effects of the In-Flight Ion Dissociation | 1-gen-1988 | Giuseppe, Queirolo; C., Bresolin; L., Meda; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto | |
BF2+ Ion implantation in silicon | 1-gen-1988 | Queirolo, G.; Bresolin, C.; Meda, L.; Anderle, M.; Canteri, R. | |
Structural investigation of Al2O3 formed by ion implantation at various doses | 1-gen-1989 | P., Pawar; D., Kothari; Arun, Narsale; P., Raole; S., Gogawale; Luis, Guzman; Stefano, Girardi; Dapor, Maurizio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto | |
Dependence of Transient Enhanced Diffusion on Defects Depth Position in Ion Implanted Silicon | 1-gen-1989 | Sandro, Solmi; F., Cembali; R., Fabbri; R., Lotti; M., Servidori; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto | |
Reduction of Phosphorus Transient Enhanced Diffusion Due to Extended Defects in Ion Implanted Silicon | 1-gen-1989 | M., Servidori; F., Cembali; R., Fabbri; E., Gabilli; P., Negrini; S., Solmi; P., Zaumseil; U., Winter; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto | |
Non-Linear Phenomena in Hydrogen Implantation into (100) Silicon | 1-gen-1989 | G. F., Cerofolini; L., Meda; C., Volpones; R., Dierckx; G., Mercurio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; F., Cembali; R., Fabbri; M., Servidori | |
Dependence of Anomalous Phosphorus Diffusion in Silicon on Depth Position of Defects Created by Ion Implantation | 1-gen-1989 | Sandro, Solmi; F., Cembali; R., Fabbri; M., Servidori; Canteri, Roberto | |
Hydrogen Implantation into (100) Silicon: A Study of the Released Damage | 1-gen-1989 | L., Meda; G. F., Cerofolini; R., Dierckx; G., Mercurio; M., Servidori; F., Cembali; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; G., Ottaviani; C. L., Claeys; J., Vanhellement | |
Shallow junctions fabrication by using molibdenum silicide and rapid thermal annealing | 1-gen-1989 | Angelucci, R.; Merli, M.; Dori, L.; Pizzochero, G.; Solmi, S.; Canteri, R. | |
Dependence of transient enhanced diffusion on defect depth position in ion implanted silicon | 1-gen-1989 | Solmi, S.; Cembali, F.; Fabbri, R.; Lotti, R.; Servidori, M.; Anderle, M.; Canteri, R. | |
Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon | 1-gen-1990 | G. F., Cerofolini; L., Meda; G., Ottaviani; J., Defayette; R., Dierckx; D., Donelli; M., Orlandini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; C. L., Claeys; J., Vanhellemont; C., Volpones | |
A Comparison between Zero and Seven Degree of Tilt Implantation of As+, P+ and BF2+ | 1-gen-1990 | C., Bresolin; C., Zaccherini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto | |
Correlation between microstructural and {SIMS} analyses of cast irons inoculated with {CG} alloy | 1-gen-1990 | Tiziani, A.; Molinari, A.; Canteri, R.; Anderle, M. | |
State and evolution of hydrogen implanted in silicon | 1-gen-1990 | Meda, L.; Cerofolini, G. F.; Bresolin, C.; Dierckx, R.; Donelli, D.; Orlandini, M.; Anderle, M.; Canteri, R.; Ottaviani, G.; Tonini, R.; Claeys, C.; Vanhellemont, J.; Pizzini, S.; Farina, S. | |
Correlation between microstructure and SIMS analyses of cast irons incoulated with CG alloy | 1-gen-1990 | Tiziani, A.; Molinari, A.; Canteri, R.; Anderle, M. | |
A comparison between zero and seven degrees of tilt implantation of As+, P+ and BF2 + | 1-gen-1990 | Bresolin, C.; Zaccherini, C.; Anderle, M.; Canteri, R. | |
Low Temperature Dopant Activation of BF2 Implanted Silicon | 1-gen-1991 | G., Queirolo; C., Bresolin; D., Robba; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; A., Armigliato; G., Ottaviani; S., Frabboni | |
Boron Ion Implantation through Mo and Mo Silicide Layers for Shallow Junction Formation | 1-gen-1991 | R., Angelucci; Sandro, Solmi; A., Armigliato; S., Guerri; M., Merli; A., Poggi; Canteri, Roberto |
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