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Ambient Gas Induced SiC-like Structures in Edge-Defined Film-Fed Growth Polycrystalline Silicon Samples 1-gen-1991 B., Pivac; A., Borghesi; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano
Evidence for Molecular Hydrogen in Single Crystal Silicon 1-gen-1991 L., Meda; G. F., Cerofolini; G., Ottaviani; R., Tonini; F., Corni; R., Balboni; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; R., Dierckx
Electrical and Structural Characterization of Silicon Layers Directly Doped with Boron by Excimer Laser Irradiation 1-gen-1991 R., Nipoti; M., Bianconi; R., Fabbri; M., Servidori; S., Nicoletti; Canteri, Roberto
Boron and Antimony Codiffusion in Silicon 1-gen-1991 Margesin, Benno; Canteri, Roberto; Sandro, Solmi; A., Armigliato; F., Baruffaldi
Influence of Implant Dose and Target Temperature on Crystal Quality and Junction Depth of Boron-Doped Silicon Layers 1-gen-1991 R., Fabbri; M., Servidori; S., Solmi; S., Frabboni; G., Ottaviani; Rita, Tonini; Canteri, Roberto
Diffusion of Boron in Silicon During Post-Implantation Annealing 1-gen-1991 Sandro, Solmi; F., Baruffaldi; Canteri, Roberto
Boron Ion Implantation through Mo and Mo Silicide Layers for Shallow Junction Formation 1-gen-1991 R., Angelucci; Sandro, Solmi; A., Armigliato; S., Guerri; M., Merli; A., Poggi; Canteri, Roberto
Acquisizione per immagine nella spettrometria di massa di ioni secondari 1-gen-1991 Canteri, Roberto
Low Temperature Dopant Activation of BF2 Implanted Silicon 1-gen-1991 G., Queirolo; C., Bresolin; D., Robba; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; A., Armigliato; G., Ottaviani; S., Frabboni
Ambient gas-induced SiC-like structures in edge-defined film-fed grown polycrystalline silicon samples 1-gen-1991 Pivac, B.; Borghesi, A.; Canteri, R.; Anderle, M.
Sputtered Neutral and Molecular Ion Mass Spectrometries in the Characterization of Multilayer Samples 1-gen-1992 L., Moro; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano
Shallow Junction Formation Using MoSi2 as Diffusion Source 1-gen-1992 R., Angelucci; M., Impronta; G., Pizzocchero; A., Poggi; Sandro, Solmi; Canteri, Roberto
Sintering and Microstructure of Phosphorus Steels 1-gen-1992 A., Molinari; G., Straffelini; V., Fontanari; Canteri, Roberto
Sputtered netural and molecular ion mass spectrometries in the characterization of multilayer samples 1-gen-1992 L., Moro; Canteri, Roberto; A., Anderle
Hydrogen- related complexes as the Stressing Species in High-Fluence, Hydrogen-Implanted, Single Crystal Silicon 1-gen-1992 G. F., Cerofolini; L., Meda; R., Balboni; F., Corni; S., Frabboni; G., Ottaviani; Rita, Tonini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Anomalous Diffusion of Fluorine in Silicon 1-gen-1992 S. P., Jeng; T., Ma; Anderle, Mariano; Gary Wayne, Rubloff; Canteri, Roberto
Sintering and microstructure of phosphorous steels 1-gen-1992 Molinari, A.; Straffelini, G.; Fontanari, V.; Canteri, R.
Codiffusion of Arsenic and Phosphorus Implanted Silicon 1-gen-1993 Sandro, Solmi; P., Maccagnani; Canteri, Roberto
Codiffusion of arsenic and phosphorus implanted in silicon 1-gen-1993 Solmi, S.; Maccagnani, P.; Canteri, R.
New evidences about carbon and oxygen segregation processes in polycrystalline silicon 1-gen-1993 Binetti, S.; Ferrari, S.; Acciarri, M.; Acerboni, S.; Canteri, R.; Pizzini, S.
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