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This work reports on the electrical (static and dynamic) as well as on the optical characteristics of a prototype matrix of Silicon Photomultipliers (SiPM). The prototype matrix consists of 4×4 SiPM’s on the same substrate fabricated at FBK-irst (Trento, Italy). Each SiPM of the matrix has an area of 1×1mm2 and it is composed of 625 microcells connected in parallel. Each microcell of the SiPM is a GM-APD (n+/p junction on P+ substrate) with an area of 40×40mm2 connected in series with its integrated polysilicon quenching resistance. The static characteristics as breakdown voltage, quenching resistance, post-breakdown dark current as well as the dynamic characteristics as gain and dark count rate have been analysed. The photon detection efficiency as a function of wavelength and operation voltage has been also estimated.
Characteristics of a prototype matrix of Silicon PhotoMultipliers (SiPM)
This work reports on the electrical (static and dynamic) as well as on the optical characteristics of a prototype matrix of Silicon Photomultipliers (SiPM). The prototype matrix consists of 4×4 SiPM’s on the same substrate fabricated at FBK-irst (Trento, Italy). Each SiPM of the matrix has an area of 1×1mm2 and it is composed of 625 microcells connected in parallel. Each microcell of the SiPM is a GM-APD (n+/p junction on P+ substrate) with an area of 40×40mm2 connected in series with its integrated polysilicon quenching resistance. The static characteristics as breakdown voltage, quenching resistance, post-breakdown dark current as well as the dynamic characteristics as gain and dark count rate have been analysed. The photon detection efficiency as a function of wavelength and operation voltage has been also estimated.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/4509
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
