Gate Stability and Robustness of In-Situ Oxide GaN Interlayer Based Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs)

	Anno
	
				2019
			
	Codice ISBN
	
				978-1-5386-9504-3
			
	Appare nelle tipologie:
	
				4.2 Abstract in Atti di convegno

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