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Results on beam tests of 3D silicon pixel sensors aimed at the ATLAS Insertable B-Layer and High Luminosity LHC (HL-LHC) upgrades are presented. Measurements include charge collection, tracking efficiency and charge sharing between pixel cells, as a function of track incident angle, and were performed with and without a 1.6 T magnetic field oriented as the ATLAS inner detector solenoid field. Sensors were bump-bonded to the front-end chip currently used in the ATLAS pixel detector. Full 3D sensors, with electrodes penetrating through the entire wafer thickness and active edge, and double-sided 3D sensors with partially overlapping bias and read-out electrodes were tested and showed comparable performance.
Test beam results of 3D silicon pixel sensors for the ATLAS upgrade
P. Grenier;G. Alimonti;M. Barbero;R. Bates;E. Bolle;M. Borri;Boscardin, Maurizio;C. Buttar;M. Capua;M. Cavalli Sforza;M. Cobal;A. Cristofoli;G. F. Dalla Betta;G. Darbo;C. Da Vià;E. Devetak;B. DeWilde;B. Di Girolamo;D. Dobos;K. Einsweiler;D. Esseni;S. Fazio;C. Fleta;J. Freestone;C. Gallrapp;M. Garcia Sciveres;G. Gariano;C. Gemme;M. P. Giordani;H. Gjersdal;S. Grinstein;T. Hansen;T. E. Hansen;P. Hansson;J. Hasi;K. Helle;M. Hoeferkamp;F. Hügging;P. Jackson;K. Jakobs;J. Kalliopuska;M. Karagounis;C. Kenney;M. Köhler;M. Kocian;A. Kok;S. Kolya;I. Korokolov;V. Kostyukhin;H. Krüger;A. La Rosa;C. H. Lai;N. Lietaer;M. Lozano;A. Mastroberardino;A. Micelli;C. Nellist;A. Oja;V. Oshea;C. Padilla;P. Palestri;S. Parker;U. Parzefall;J. Pater;G. Pellegrini;H. Pernegger;Piemonte, Claudio;S. Pospisil;Povoli, Marco;S. Roe;O. Rohne;Ronchin, Sabina;A. Rovani;E. Ruscino;H. Sandaker;S. Seidel;L. Selmi;D. Silverstein;K. Sjøbæk;T. Slavicek;S. Stapnes;B. Stugu;J. Stupak;D. Su;G. Susinno;R. Thompson;J. W. Tsung;D. Tsybychev;S. J. Watts;N. Wermes;C. Young;Zorzi, Nicola
2011
Abstract
Results on beam tests of 3D silicon pixel sensors aimed at the ATLAS Insertable B-Layer and High Luminosity LHC (HL-LHC) upgrades are presented. Measurements include charge collection, tracking efficiency and charge sharing between pixel cells, as a function of track incident angle, and were performed with and without a 1.6 T magnetic field oriented as the ATLAS inner detector solenoid field. Sensors were bump-bonded to the front-end chip currently used in the ATLAS pixel detector. Full 3D sensors, with electrodes penetrating through the entire wafer thickness and active edge, and double-sided 3D sensors with partially overlapping bias and read-out electrodes were tested and showed comparable performance.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
