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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Suppression of boron interstitial clusters in SOI using vacancy engineering 1-gen-2005 A. J., Smith; B., Colombeau; R., Gwilliam; N. E. B., Cowern; B. J., Sealy; M., Milosavljevic; E., Collart; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario
Surface evolution of very high dose arsenic implants in silicon formed by plasma immersion ion implantation – a long term study 1-gen-2014 Meirer, Florian; Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; Gennaro, Salvatore; Fedrizzi, Michele; Pepponi, Giancarlo; Steinhauser, G.; Vishwanath, V.; Foad, M. A.; Bersani, Massimo
Surface proximity and boron concentration effects on end-of-range defect formation during nonmelt laser annealing 1-gen-2008 Jim, Sharp; Andy, Smith; Roger, Webb; K. J., Kirkby; Nick, Cowern; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; Majeed, Foad; P., Fazzini; Fuccio, Cristiano
The electrical activation of B in the presence of boron-interstitials clusters 1-gen-2002 G., Mannino; S., Solmi; V., Privitera; Bersani, Massimo
The impact of the nitridation process on the properties of the Si-SiO2 interface 1-gen-2001 M. L., Polignano; M., Alessandri; B., Crivelli; R., Zonca; A. P., Caricato; Bersani, Massimo; M., Sbetti; Vanzetti, Lia Emanuela
The interaction between Xe and F in Si (100) pre-amorphised with 20 keV Xe and implanted with low energy BF2 1-gen-2004 M., Werner; J., van den Berg; D. G., Armour; G., Carter; T., Feudel; Marc, Herden; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; P., Bailey; T. C. Q., Noakes
The issue of pseudoreplication when applying a statistical exploratory approach to extract relevant features from ToF-SIMS spectra 1-gen-2013 Dell'Anna, Rossana; Canteri, Roberto; Nicola, Coppedè; Salvatore, Iannotta; Bersani, Massimo
Thermodynamical analysis of abrupt interfaces og InGaP/ GaAs and GaAs/ InGaP heterostructures 1-gen-2005 C., Pelosi; G., Attolini; M., Bosi; C., Frigeri; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Vanzetti, Lia Emanuela; N., Musayeva
Thin Film Transformations and Volatile Products in the Formation of Nanoporous Low-K PMSSQ-based Dielectric 1-gen-2005 Lazzeri, Paolo; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo; J. J., Park; Z., Lin; R. M., Briber; G. W., Rubloff; H. C., Kim; R. D., Miller
TiN/STO/TiN MIMcaps nanolayers on silicon characterized by SIMS and AFM 1-gen-2013 Barozzi, Mario; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M. A., Reading; C., Adelmann; M., Popovici; H., Tielens; Bersani, Massimo
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Tipologia
  • 1 Contributo su Rivista 113
  • 1 Contributo su Rivista::1.1 Arti... 113
Autore
  • Giubertoni, Damiano 59
  • Barozzi, Mario 34
  • Vanzetti, Lia Emanuela 29
  • Anderle, Mariano 19
  • Gennaro, Salvatore 19
  • Iacob, Erica 19
  • Pepponi, Giancarlo 13
  • Lazzeri, Paolo 10
  • Demenev, Evgeny 9
  • Meirer, Florian 7
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2022 2
  • 2010 - 2019 30
  • 2000 - 2009 76
  • 1997 - 1999 5
Editore
  • Elsevier 17
  • American Institute of Physics 14
  • AVS 3
  • Wiley 3
  • EDP Sciences 1
  • IOP Publishing 1
  • Scientific.net 1
  • Springer 1
Rivista
  • APPLIED SURFACE SCIENCE 15
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 11
  • JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHN... 10
  • APPLIED PHYSICS LETTERS 9
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 7
  • NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN ... 5
  • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING... 4
  • PHYSICA STATUS SOLIDI. C 4
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 4
  • DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID ... 2
Keyword
  • SIMS 26
  • silicon 25
  • diffusion 18
  • annealing 16
  • ion implantation 16
  • boron 10
  • arsenic 9
  • elemental semiconductors 9
  • semiconductor doping 9
  • doping profiles 8
Lingua
  • eng 97
  • ita 1
Accesso al fulltext
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