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IRIS
We present the performance of a novel InGaAs/InP
single-photon avalanche diode (SPAD) with high detection efficiency
and low noise thanks to the improvement of Zinc diffusion
conditions and the optimization of the vertical structure. The
25-μm active-area diameter detector, operated in gated-mode with
ON time of tens of nanoseconds, shows very low dark count rate
(few kilo-counts per second at 225 K and 5 V of excess bias), 30%
photon detection efficiency at 1550 nm, low afterpulsing, and a
timing response with less than 90-ps full-width at half maximum
and very fast exponential tail (time constant 60 ps). Therefore,
this InGaAs/InP SPAD is among the best ones ever reported in the
literature.
Low-Noise, Low-Jitter, High Detection Efficiency InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode
We present the performance of a novel InGaAs/InP
single-photon avalanche diode (SPAD) with high detection efficiency
and low noise thanks to the improvement of Zinc diffusion
conditions and the optimization of the vertical structure. The
25-μm active-area diameter detector, operated in gated-mode with
ON time of tens of nanoseconds, shows very low dark count rate
(few kilo-counts per second at 225 K and 5 V of excess bias), 30%
photon detection efficiency at 1550 nm, low afterpulsing, and a
timing response with less than 90-ps full-width at half maximum
and very fast exponential tail (time constant 60 ps). Therefore,
this InGaAs/InP SPAD is among the best ones ever reported in the
literature.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/243419
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
