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IRIS
Recent results on the photoluminescence properties of silicon nanocrystals embedded in silicon oxide are reviewed and discussed.
The attention is focused on Si nanocrystals produced by high-temperature annealing of silicon rich oxide layers deposited by
plasma-enhanced chemical vapor deposition. The influence of deposition parameters and layer thickness is analyzed in detail. The
nanocrystal size can be roughly controlled bymeans of Si content and annealing temperature and time. Unfortunately, a technique
for independently fine tuning the emission efficiency and the size is still lacking; thus, only middle size nanocrystals have high
emission efficiency. Interestingly, the layer thickness affects the nucleation and growth kinetics so changing the luminescence
efficiency.
Photoluminescence of Silicon Nanocrystals in Silicon Oxide
L. Ferraiolo;M. Wang;Pucker, Georg;D. Navarro Urrios;N. Daldosso;C. Kompocholis;L. Pavesi
2007
Abstract
Recent results on the photoluminescence properties of silicon nanocrystals embedded in silicon oxide are reviewed and discussed.
The attention is focused on Si nanocrystals produced by high-temperature annealing of silicon rich oxide layers deposited by
plasma-enhanced chemical vapor deposition. The influence of deposition parameters and layer thickness is analyzed in detail. The
nanocrystal size can be roughly controlled bymeans of Si content and annealing temperature and time. Unfortunately, a technique
for independently fine tuning the emission efficiency and the size is still lacking; thus, only middle size nanocrystals have high
emission efficiency. Interestingly, the layer thickness affects the nucleation and growth kinetics so changing the luminescence
efficiency.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/17349
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.