In questo lavoro vengono descritti i principi di funzionamento di rivelatori di radiazione ottenuti su substrati di silicio ad alta resistività, quali diodi pin, rivelatori a striscia, rivelatori a deriva, rivelatori a pixel e rivelatori criogenici. I fattori più importanti che limitano la risoluzione energetica sono analizzati e discussi; si considerano, inoltre, i vantaggi e gli svantaggi connessi alla integrazione dell`elettronica di front-end sullo stesso wafer insieme al rivelatore: Oltre ad un confronto fra diverse tecnologie di fabbricazione, si presentanoalcuni risultati preliminari riguardanti rivelatori realizati presso l`Istituto per la Ricerca Scientifica e Tecnologica (Irst) di Trento
Rivelatori di radiazione su silicio ad alta resistività
Dalla Betta, Gian Franco;Boscardin, Maurizio
1997-01-01
Abstract
In questo lavoro vengono descritti i principi di funzionamento di rivelatori di radiazione ottenuti su substrati di silicio ad alta resistività, quali diodi pin, rivelatori a striscia, rivelatori a deriva, rivelatori a pixel e rivelatori criogenici. I fattori più importanti che limitano la risoluzione energetica sono analizzati e discussi; si considerano, inoltre, i vantaggi e gli svantaggi connessi alla integrazione dell`elettronica di front-end sullo stesso wafer insieme al rivelatore: Oltre ad un confronto fra diverse tecnologie di fabbricazione, si presentanoalcuni risultati preliminari riguardanti rivelatori realizati presso l`Istituto per la Ricerca Scientifica e Tecnologica (Irst) di TrentoI documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
