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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Grain boundary segregation of oxygen and carbon in polycrystalline silicon. 1-gen-1987 S., Pizzini; P., Cagnoni; A., Sandrinelli; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
On the silicon dioxide/polycrystalline silicon interface width measurement 1-gen-1988 Giuseppe, Queirolo; S., Manzini; L., Meda; Canteri, Roberto; Anderle, Mariano; A., Armigliato; S., Frabboni
BF2 Ion Implantation in Silicon: Effects of the In-Flight Ion Dissociation 1-gen-1988 Giuseppe, Queirolo; C., Bresolin; L., Meda; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
BF2+ Ion implantation in silicon 1-gen-1988 Queirolo, G.; Bresolin, C.; Meda, L.; Anderle, M.; Canteri, R.
Hydrogen Implantation into (100) Silicon: A Study of the Released Damage 1-gen-1989 L., Meda; G. F., Cerofolini; R., Dierckx; G., Mercurio; M., Servidori; F., Cembali; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; G., Ottaviani; C. L., Claeys; J., Vanhellement
Non-Linear Phenomena in Hydrogen Implantation into (100) Silicon 1-gen-1989 G. F., Cerofolini; L., Meda; C., Volpones; R., Dierckx; G., Mercurio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; F., Cembali; R., Fabbri; M., Servidori
Dependence of Anomalous Phosphorus Diffusion in Silicon on Depth Position of Defects Created by Ion Implantation 1-gen-1989 Sandro, Solmi; F., Cembali; R., Fabbri; M., Servidori; Canteri, Roberto
Structural investigation of Al2O3 formed by ion implantation at various doses 1-gen-1989 P., Pawar; D., Kothari; Arun, Narsale; P., Raole; S., Gogawale; Luis, Guzman; Stefano, Girardi; Dapor, Maurizio; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Reduction of Phosphorus Transient Enhanced Diffusion Due to Extended Defects in Ion Implanted Silicon 1-gen-1989 M., Servidori; F., Cembali; R., Fabbri; E., Gabilli; P., Negrini; S., Solmi; P., Zaumseil; U., Winter; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Dependence of Transient Enhanced Diffusion on Defects Depth Position in Ion Implanted Silicon 1-gen-1989 Sandro, Solmi; F., Cembali; R., Fabbri; R., Lotti; M., Servidori; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
Shallow junctions fabrication by using molibdenum silicide and rapid thermal annealing 1-gen-1989 Angelucci, R.; Merli, M.; Dori, L.; Pizzochero, G.; Solmi, S.; Canteri, R.
Dependence of transient enhanced diffusion on defect depth position in ion implanted silicon 1-gen-1989 Solmi, S.; Cembali, F.; Fabbri, R.; Lotti, R.; Servidori, M.; Anderle, M.; Canteri, R.
Structure and Evolution of the Displacement Field in Hydrogen-Implanted Silicon 1-gen-1990 G. F., Cerofolini; L., Meda; G., Ottaviani; J., Defayette; R., Dierckx; D., Donelli; M., Orlandini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto; C. L., Claeys; J., Vanhellemont; C., Volpones
A Comparison between Zero and Seven Degree of Tilt Implantation of As+, P+ and BF2+ 1-gen-1990 C., Bresolin; C., Zaccherini; Anderle, Mariano; Canteri, Roberto
State and evolution of hydrogen implanted in silicon 1-gen-1990 Meda, L.; Cerofolini, G. F.; Bresolin, C.; Dierckx, R.; Donelli, D.; Orlandini, M.; Anderle, M.; Canteri, R.; Ottaviani, G.; Tonini, R.; Claeys, C.; Vanhellemont, J.; Pizzini, S.; Farina, S.
A comparison between zero and seven degrees of tilt implantation of As+, P+ and BF2 + 1-gen-1990 Bresolin, C.; Zaccherini, C.; Anderle, M.; Canteri, R.
Correlation between microstructure and SIMS analyses of cast irons incoulated with CG alloy 1-gen-1990 Tiziani, A.; Molinari, A.; Canteri, R.; Anderle, M.
Correlation between microstructural and {SIMS} analyses of cast irons inoculated with {CG} alloy 1-gen-1990 Tiziani, A.; Molinari, A.; Canteri, R.; Anderle, M.
Influence of Implant Dose and Target Temperature on Crystal Quality and Junction Depth of Boron-Doped Silicon Layers 1-gen-1991 R., Fabbri; M., Servidori; S., Solmi; S., Frabboni; G., Ottaviani; Rita, Tonini; Canteri, Roberto
Electrical and Structural Characterization of Silicon Layers Directly Doped with Boron by Excimer Laser Irradiation 1-gen-1991 R., Nipoti; M., Bianconi; R., Fabbri; M., Servidori; S., Nicoletti; Canteri, Roberto
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