Heavily p-doped monocrystalline silicon wires have been fabricated by employing wet etch and thermal oxidation steps to achieve a nanometric cross-section; a gate oxide growth and a final palladium evaporation made up the MOS junction able to detect hydrogen concentrations in air.

MOS Junction based Nanostructures by Thermal Oxidation of Silicon Wires for Hydrogen Detection

Tibuzzi, Arianna;Decarli, Massimiliano;Soncini, Giovanni;Margesin, Benno;Zen, Mario
2003-01-01

Abstract

Heavily p-doped monocrystalline silicon wires have been fabricated by employing wet etch and thermal oxidation steps to achieve a nanometric cross-section; a gate oxide growth and a final palladium evaporation made up the MOS junction able to detect hydrogen concentrations in air.
2003
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11582/938
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
social impact