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IRIS
Direct laser interference patterning (DLIP) is a fast nanostructuring technique able to generate periodic patterns in the submicrometric range, what modifies the morphology and structural properties of semiconductors. DLIP has been used on gas sensors based on ZnO thin film, generating 1D patterns. The nanostructuring has modified the crystal structure and the surface topography. DLIP acts similarly to a thermal treatment from the crystallographic point of view and has been used to detect low concentration of formaldehyde (HCHO). Comparable magnitude of responses (around the 25 % for 20 ppm of formaldehyde) are shown for sensors thermally treated sensors and sensors processed by DLIP.
ZnO Thin Film Processed by Direct Laser Interference Patterning for Formaldehyde Detection
Parellada-Monreal, Laura;Castro-Hurtado, Irene;Martinez-Calderon, Miguel;Olaizola, Santiago M.;Mandayo, Gemma G.
2018
Abstract
Direct laser interference patterning (DLIP) is a fast nanostructuring technique able to generate periodic patterns in the submicrometric range, what modifies the morphology and structural properties of semiconductors. DLIP has been used on gas sensors based on ZnO thin film, generating 1D patterns. The nanostructuring has modified the crystal structure and the surface topography. DLIP acts similarly to a thermal treatment from the crystallographic point of view and has been used to detect low concentration of formaldehyde (HCHO). Comparable magnitude of responses (around the 25 % for 20 ppm of formaldehyde) are shown for sensors thermally treated sensors and sensors processed by DLIP.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/325828
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.