Si descrive la procedura di attivazione del gettering intrinseco in silicio semiconduttore destinato alla produzione di sensori ottici integrati in tecnologia IRST-CCD/CMOS. Dall`analisi dei dati sperimentali si evidenzia il ruolo dell`ossigeno interstiziale nella rimozione e neutralizzazione delle contaminazioni metalliche gia` presenti o indotte nel substrato durante le fasi di fabbricazione.
Gettering intrinseco in silicio semiconduttore
Bellutti, Pierluigi;Boscardin, Maurizio;Zorzi, Nicola;Soncini, Giovanni
1994-01-01
Abstract
Si descrive la procedura di attivazione del gettering intrinseco in silicio semiconduttore destinato alla produzione di sensori ottici integrati in tecnologia IRST-CCD/CMOS. Dall`analisi dei dati sperimentali si evidenzia il ruolo dell`ossigeno interstiziale nella rimozione e neutralizzazione delle contaminazioni metalliche gia` presenti o indotte nel substrato durante le fasi di fabbricazione.File in questo prodotto:
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