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Evolution of Arsenic nanometric distributions in Silicon under advanced ion implantation and annealing processes
2013-01-01 Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano
Grazing Incidence X-Ray Fluorescence characterisation of Ultra Shallow Junctions in the ANNA consortium
2008-01-01 Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; N., Zoeger; C., Streli; B., Beckhoff; P., Hoenicke; M., Kolbe; M., Mueller
Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam
2004-01-01 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo
ispettiva di sorveglianza 04-05 Luglio 2013
2013-01-01 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Vanzetti, Lia Emanuela; Fedrizzi, Michele; Bortolotti, Mauro
ispettiva di sorveglianza 6-7 giugno 2012.
2012-01-01 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Vanzetti, Lia Emanuela; Bortolotti, Mauro; Gennaro, Salvatore; Fedrizzi, Michele
Multi-technique analytical approach for the study of electrical deactivation of ultra-shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing"
2007-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M. A., Foad; R., Doherty; P., Pianetta; J. C., Woicik; M. A., Sahiner
Multi-technique characterization of arsenic and boron ultra low energy implants in silicon within the ANNA consortium.
2009-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; B., Beckhoff; P., Hoenicke; Gennaro, Salvatore; Meirer, Florian; D., Ingerle; G., Steinhauser; M., Fried; P., Petrik; A., Parisini; M. A., Reading; C., Streli; J. A., van den Berg; Bersani, Massimo
Nitrided Silicon-Silicon Dioxide Interface: Electrical And Physico-Chemical Characterization By Complementary Surface Analysis Techniques
2002-01-01 Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; P., Bacciaglia; B., Crivelli; M. L., Polignano; M. E., Vitali
Secondary ion mass spectrometry analysis applications on semiconductor materials
2008-01-01 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Canteri, Roberto; Vanzetti, Lia Emanuela; Pepponi, Giancarlo; Anderle, Mariano
SIMS analytical conditions optimized to reduce the morphology induced by sputtering with an oblique O2+ beam
2004-01-01 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Evolution of Arsenic nanometric distributions in Silicon under advanced ion implantation and annealing processes | 1-gen-2013 | Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano | |
| Grazing Incidence X-Ray Fluorescence characterisation of Ultra Shallow Junctions in the ANNA consortium | 1-gen-2008 | Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; N., Zoeger; C., Streli; B., Beckhoff; P., Hoenicke; M., Kolbe; M., Mueller | |
| Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam | 1-gen-2004 | Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo | |
| ispettiva di sorveglianza 04-05 Luglio 2013 | 1-gen-2013 | Iacob, Erica; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Vanzetti, Lia Emanuela; Fedrizzi, Michele; Bortolotti, Mauro | |
| ispettiva di sorveglianza 6-7 giugno 2012. | 1-gen-2012 | Iacob, Erica; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Vanzetti, Lia Emanuela; Bortolotti, Mauro; Gennaro, Salvatore; Fedrizzi, Michele | |
| Multi-technique analytical approach for the study of electrical deactivation of ultra-shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing" | 1-gen-2007 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Gennaro, Salvatore; Bersani, Massimo; M. A., Foad; R., Doherty; P., Pianetta; J. C., Woicik; M. A., Sahiner | |
| Multi-technique characterization of arsenic and boron ultra low energy implants in silicon within the ANNA consortium. | 1-gen-2009 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; B., Beckhoff; P., Hoenicke; Gennaro, Salvatore; Meirer, Florian; D., Ingerle; G., Steinhauser; M., Fried; P., Petrik; A., Parisini; M. A., Reading; C., Streli; J. A., van den Berg; Bersani, Massimo | |
| Nitrided Silicon-Silicon Dioxide Interface: Electrical And Physico-Chemical Characterization By Complementary Surface Analysis Techniques | 1-gen-2002 | Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; P., Bacciaglia; B., Crivelli; M. L., Polignano; M. E., Vitali | |
| Secondary ion mass spectrometry analysis applications on semiconductor materials | 1-gen-2008 | Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; Barozzi, Mario; Canteri, Roberto; Vanzetti, Lia Emanuela; Pepponi, Giancarlo; Anderle, Mariano | |
| SIMS analytical conditions optimized to reduce the morphology induced by sputtering with an oblique O2+ beam | 1-gen-2004 | Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Iacob, Erica; Bersani, Massimo |
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Tipologia
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Data di pubblicazione
- 2010 - 2013 5
- 2000 - 2009 26
Keyword
- SIMS 13
- silicon 11
- arsenic 7
- ion implantation 6
- MEIS 5
- boron 4
- EXAFS 4
- ultra shallow junctions 4
- doping 3
- GIXRF 3
Lingua
- eng 27
- ita 3
Accesso al fulltext
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