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The design and the realization of an H+-FET integrated with its signal conditioning electronics is presented. The chip point out the compatibility between ISFET fabrication technology and an on-chip CMNOS (Complementary Metal Nitride/Oxide Semiconductor) electronics. The chip consists of three sections, respectively devoted to test the electrochemical sensor characteristics, the signal conditioning stage performances andthe CMNOS proces parameter evaluation. The experimental testing, related to parameter extraction represents, with the simulation program BIOSPICE, a valid tol to improve the development of integrated microsystems including arrays of results.
Development of An ISFET/CMNOS Technology for H+-FET Sensor-Based Microsystems
The design and the realization of an H+-FET integrated with its signal conditioning electronics is presented. The chip point out the compatibility between ISFET fabrication technology and an on-chip CMNOS (Complementary Metal Nitride/Oxide Semiconductor) electronics. The chip consists of three sections, respectively devoted to test the electrochemical sensor characteristics, the signal conditioning stage performances andthe CMNOS proces parameter evaluation. The experimental testing, related to parameter extraction represents, with the simulation program BIOSPICE, a valid tol to improve the development of integrated microsystems including arrays of results.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11582/244
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
