Uso dell'RF cleaning per la riduzione della resistenza dei contatti intermetal in strutture a doppio livello di metallizzazione

I dispositivi prototipo prodotti in IRST, utilizzando un doppio livello di metallizzazione, hanno presentato una elevata resistenza dei contatti intermetal, dovuta principalmente alla presenza di ossido di Al all'interfaccia tra i due strati. La pulizia dei contatti mediante RF cleaning, immediatamente prima della deposizione del secondo strato di Al, si è mostrata efficace consentendo di ridurre notevolmente la resistenza di contatto e di migliorarne l'uniformità. Il rapporto descrive la tecnica usata ed i risultati ottenuti sia nella fase di messa a punto che nell'ambito di un processo completo CCD/CMOS