La realizzazione di matrici di soli ISFET o anche combinate con matrici di microelettrodi e nella fase pià avanzata elettronica di precondizionamento `on chip` prevista per il Progetto `Stazione di Lavoro Automatica Basata su Matrici di Sensori Microelettronici per Test in Vitro Alternativi alla Sperimentazione nell`Animale in Campo Biomedico, Tossicologico, Ambientale`, Legge 46 Art. 10 [1] richiede un aggiornamento ed un ampliamento del processo misto ISFET/CMOS attualmente utilizzato in Irst per la fabbricazione di sonde di pH. E` stato perciò modificato il modulo di passivazione del processo originale per garantire una maggiore impermeabilizzazione delle linee di metal. Per la realizzazione degli microelettrodi è stato introdotto un livello di metallizzazione in oro e che viene passivato con un layer polimerico. Quest`ultimo funge anche come seconda barriera impermeabile per le linee di metal in alluminio. Inoltre può essere usato per costruire circuiti idraulici sul chip. Queste modifiche ed aggiunte non alterano i parametri di base del processo originale, ad eccezione dell`ossido di campo, che viene ridotto a 1000 nm per agevolare la planarizzazione. Il rapporto contiene anche i risultati delle simulazioni di process e le regole di lay-out. Testo non disponibile
Un processo ISFET/CMOS compatibile con un modulo aggiuntivo per microelettrodi progettato per la costruzione di matrici di ISFET e matrici di ISFET/microelettrodi con elettronica di preelaborazione
Ferrario, Lorenza;Giacomozzi, Flavio;Lorenzelli, Leandro;Margesin, Benno;
1999-01-01
Abstract
La realizzazione di matrici di soli ISFET o anche combinate con matrici di microelettrodi e nella fase pià avanzata elettronica di precondizionamento `on chip` prevista per il Progetto `Stazione di Lavoro Automatica Basata su Matrici di Sensori Microelettronici per Test in Vitro Alternativi alla Sperimentazione nell`Animale in Campo Biomedico, Tossicologico, Ambientale`, Legge 46 Art. 10 [1] richiede un aggiornamento ed un ampliamento del processo misto ISFET/CMOS attualmente utilizzato in Irst per la fabbricazione di sonde di pH. E` stato perciò modificato il modulo di passivazione del processo originale per garantire una maggiore impermeabilizzazione delle linee di metal. Per la realizzazione degli microelettrodi è stato introdotto un livello di metallizzazione in oro e che viene passivato con un layer polimerico. Quest`ultimo funge anche come seconda barriera impermeabile per le linee di metal in alluminio. Inoltre può essere usato per costruire circuiti idraulici sul chip. Queste modifiche ed aggiunte non alterano i parametri di base del processo originale, ad eccezione dell`ossido di campo, che viene ridotto a 1000 nm per agevolare la planarizzazione. Il rapporto contiene anche i risultati delle simulazioni di process e le regole di lay-out. Testo non disponibileI documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
