CINECA IRIS Institutional Research Information System
IRIS è l’archivio della produzione scientifica della Fondazione Bruno Kessler.
EnglishThe presence of an asymmetrical oxide-charge distribution in p-MOSFET`s irradiated under nonzero drain-to-source bias is pointed out by measuring the forward and reverse Id(Vgs) subthreshold characteristics. Numerical device simulation allow a better understanding of device operation to be achieved and provide an explanation for some aspects of the Id(Vgs) characteristics which can not be given on the basis of the experimental results only.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte di FBK.
| Titolo: | Asymmetrical Oxide-Charge Build-up in Irradiated p-MOSFETs | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 1995 | |
| Abstract: | The presence of an asymmetrical oxide-charge distribution in p-MOSFET`s irradiated under nonzero drain-to-source bias is pointed out by measuring the forward and reverse Id(Vgs) subthreshold characteristics. Numerical device simulation allow a better understanding of device operation to be achieved and provide an explanation for some aspects of the Id(Vgs) characteristics which can not be given on the basis of the experimental results only. | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11582/1138 | |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11582/1138
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
Copyright © 2022