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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Al-Sn thin film deposited by pulsed laser ablation 1-gen-2002 A., Perrone; A., Zocco; H., de Rosa; R., Zimmermann; Bersani, Massimo
An EXAFS Investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing 1-gen-2006 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D`acapito; R., Doherty; M., Foad
Analytical Methodology Development for Silicon-rich-oxide Chemical and Physical Characterization 1-gen-2007 Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; Pucker, Georg; C., Kompocholis
Arsenic shallow depth profiling: accurate quantification in SiO2/Si stack 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Arsenic uphill diffusion during shallow junction formation 1-gen-2006 M., Ferri; S., Solmi; A., Parisini; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario
Boron deactivation in preamorphized silicon on insulator: Efficiency of the buried oxide as an interstitial sink 1-gen-2007 Justin, Hamilton; K. J., Kirkby; Nick, Cowern; Eric, Collart; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; A., Parisini
Boron Ultra Low Energy SIMS Depth Profiling Improved by Rotating Stage 1-gen-2006 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Vanzetti, Lia Emanuela; M., Anderle
Boron-interstitial silicon cluster and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon 1-gen-2000 S., Solmi; Bersani, Massimo; M., Sbetti; J., Lundsgaard Hansen; A., Nylandsted larsen
Boron-interstitial silicon clusters and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon 1-gen-2000 Solmi, S; Bersani, Massimo; Sbetti, M; Lundsgaard Hansen, J; Nylandsted Larsen, A
Calibration correction of ultra low energy SIMS profiles based on MEIS analyses for arsenic shallow implants in silicon 1-gen-2012 Demenev, Evgeny; Giubertoni, Damiano; J., van den Berg; M., Reading; Bersani, Massimo
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Tipologia
  • 1 Contributo su Rivista 113
  • 1 Contributo su Rivista::1.1 Arti... 113
Autore
  • Giubertoni, Damiano 59
  • Barozzi, Mario 34
  • Vanzetti, Lia Emanuela 29
  • Anderle, Mariano 19
  • Gennaro, Salvatore 19
  • Iacob, Erica 19
  • Pepponi, Giancarlo 13
  • Lazzeri, Paolo 10
  • Demenev, Evgeny 9
  • Meirer, Florian 7
Data di pubblicazione
  • 2020 - 2022 2
  • 2010 - 2019 30
  • 2000 - 2009 76
  • 1997 - 1999 5
Editore
  • Elsevier 17
  • American Institute of Physics 14
  • AVS 3
  • Wiley 3
  • EDP Sciences 1
  • IOP Publishing 1
  • Scientific.net 1
  • Springer 1
Rivista
  • APPLIED SURFACE SCIENCE 15
  • JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 11
  • JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHN... 10
  • APPLIED PHYSICS LETTERS 9
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 7
  • NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN ... 5
  • MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING... 4
  • PHYSICA STATUS SOLIDI. C 4
  • SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 4
  • DIFFUSION AND DEFECT DATA, SOLID ... 2
Keyword
  • SIMS 26
  • silicon 25
  • diffusion 18
  • annealing 16
  • ion implantation 16
  • boron 10
  • arsenic 9
  • elemental semiconductors 9
  • semiconductor doping 9
  • doping profiles 8
Lingua
  • eng 97
  • ita 1
Accesso al fulltext
  • no fulltext 106
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  • restricted 1