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An EXAFS investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing
2006-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D'Acapito; R., Doherty; M. A., Foad
Arsenic Shallow Implant Characterization by Magnetic Sector and TOF-SIMS Instruments
2002-01-01 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
As ultra shallow depth profiling: comparison between SIMS and MEIS techniques
2004-01-01 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo; J. A., van den Berg; M., Werner
Characterization of As Implants and Hf Layer with a new Spectrometer for Grazing Incidence XRF
2009-01-01 C., Streli; D., Ingerle; Meirer, Florian; N., Zoeger; Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; P., Wobrauschek; C., Streli
Characterization of Junction Activation and Deactivation Using non-Equilibrium
2009-01-01 Bersani, Massimo; Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; M. A., Sahiner; S. P., Kelty; M., Kah; K. J., Kirkby; R., Doherty; M. A., Foad; Meirer, Florian; C., Streli; J. C., Woicik; P., Piane
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants"
2005-01-01 Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M., Werner
D-Sims and TOF-SIMS quantitative depth profiles on ultra thin oxinitrides
2001-01-01 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; P., Lazzeri; B., Crivelli; F., Zanderigo
Deactivation of sub-melt laser annealed arsenic ultra shallow junctions in silicon during subsequent thermal treatment
2009-01-01 Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; M. A., Sahiner; S. P., Kelty; M., Kah; K. J., Kirkby; Meirer, Florian; Gennaro, Salvatore; R., Doherty; M. A., Foad; J. C., Woicik; C., Streli; Bersani, Massimo; P., Pianetta
Depth profiling and quantification of chlorine and nitrogen in oxynitrides obtained by HTO process
2000-01-01 Bersani, Massimo; M., Sbettti; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica
Electrical deactivation of ultra shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing
2007-01-01 Giubertoni, Damiano
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
An EXAFS investigation of Arsenic shallow implant activation in silicon after laser sub-melt annealing | 1-gen-2006 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; Bersani, Massimo; Gennaro, Salvatore; F., D'Acapito; R., Doherty; M. A., Foad | |
Arsenic Shallow Implant Characterization by Magnetic Sector and TOF-SIMS Instruments | 1-gen-2002 | Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Lazzeri, Paolo; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo | |
As ultra shallow depth profiling: comparison between SIMS and MEIS techniques | 1-gen-2004 | Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo; J. A., van den Berg; M., Werner | |
Characterization of As Implants and Hf Layer with a new Spectrometer for Grazing Incidence XRF | 1-gen-2009 | C., Streli; D., Ingerle; Meirer, Florian; N., Zoeger; Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; P., Wobrauschek; C., Streli | |
Characterization of Junction Activation and Deactivation Using non-Equilibrium | 1-gen-2009 | Bersani, Massimo; Pepponi, Giancarlo; Giubertoni, Damiano; Gennaro, Salvatore; M. A., Sahiner; S. P., Kelty; M., Kah; K. J., Kirkby; R., Doherty; M. A., Foad; Meirer, Florian; C., Streli; J. C., Woicik; P., Piane | |
Comparison between the SIMS and MEIS techniques for the characterization of ultra shallow arsenic implants" | 1-gen-2005 | Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Iacob, Erica; J. A., van den Berg; M., Werner | |
D-Sims and TOF-SIMS quantitative depth profiles on ultra thin oxinitrides | 1-gen-2001 | Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; P., Lazzeri; B., Crivelli; F., Zanderigo | |
Deactivation of sub-melt laser annealed arsenic ultra shallow junctions in silicon during subsequent thermal treatment | 1-gen-2009 | Giubertoni, Damiano; Pepponi, Giancarlo; M. A., Sahiner; S. P., Kelty; M., Kah; K. J., Kirkby; Meirer, Florian; Gennaro, Salvatore; R., Doherty; M. A., Foad; J. C., Woicik; C., Streli; Bersani, Massimo; P., Pianetta | |
Depth profiling and quantification of chlorine and nitrogen in oxynitrides obtained by HTO process | 1-gen-2000 | Bersani, Massimo; M., Sbettti; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica | |
Electrical deactivation of ultra shallow arsenic junction formed by laser sub-melt annealing | 1-gen-2007 | Giubertoni, Damiano |
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Tipologia
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Data di pubblicazione
- 2010 - 2013 5
- 2000 - 2009 26
Keyword
- SIMS 13
- silicon 11
- arsenic 7
- ion implantation 6
- MEIS 5
- boron 4
- EXAFS 4
- ultra shallow junctions 4
- doping 3
- GIXRF 3
Lingua
- eng 27
- ita 3
Accesso al fulltext
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