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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Low-Noise Avalanche Photodiode With Graded Junction in 0.15-um CMOS Technology 1-gen-2014 Lucio, Pancheri; Gian Franco Dalla, Betta; Stoppa, David
Negative bias-induced threshold voltage instability in GaN-on-Si power HEMTs 1-gen-2016 Meneghini, M.; Rossetto, I.; Bisi, D.; Ruzzarin, M.; Van Hove, M.; Stoffels, S.; Wu, T. -L.; Marcon, D.; Decoutere, S.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
RF-MEMS Technology for 5G: Series and Shunt Attenuator Modules Demonstrated up to 110 GHz 1-gen-2016 Iannacci, Jacopo; Huhn, M.; Tschoban, C.; Potter, H.
RF-MEMS Technology for Future (5G) Mobile and High-Frequency Applications: Reconfigurable 8-Bit Power Attenuator Tested up to 110 GHz 1-gen-2016 Iannacci, Jacopo; Huhn, M.; Tschoban, C.; Potter, H.
Trench-Isolated Low Gain Avalanche Diodes (TI-LGADs) 1-gen-2020 Paternoster, G.; Borghi, G.; Boscardin, M.; Cartiglia, N.; Ferrero, M.; Ficorella, F.; Siviero, F.; Gola, A.; Bellutti, P.
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