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Hydrogen as a probe of the electronic properties of (InGa)(AsN)/GaAs heterostructures 1-gen-2003 A. Bissiri M., Polimeni; Höger von Högersthal G., Baldassarri; M., Capizzi; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; D., Gollub; M., Fischer; A., Forchel
In situ sputtering rate measurement by laser interferometer applied to SIMS analyses 1-gen-2003 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Bertoli; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Anderle, Mariano
Diffusion and electrical activation of indium in silicon 1-gen-2003 Silvia, Scalese; M., Italia; Antonio La, Magna; G., Mannino; V., Privitera; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Solmi; P., Pichler
Ultra shallow junctions: Analytical solutions for 90 nm technology node" 1-gen-2003 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo; P., Lazzeri; M., Anderle
In situ sputtering rate measurement by laser interferometer applied to SIMS analyses 1-gen-2003 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; E., Boscolo; Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Anderle, Mariano
Topography developed by sputtering in a magnetic sector instruments: an AFM and SEM study’ 1-gen-2003 Iacob, Erica; Bersani, Massimo; Lui, Alberto; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano
Diffusion and electrical activation of indium in silicon 1-gen-2003 Silvia, Scalese; M., Italia; Antonio La, Magna; G., Mannino; V., Privitera; Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Sandro, Solmi; P., Pichler
D-SIMS and ToF-SIMS quantitative depth profiles comparison on ultra thin oxynitrides 1-gen-2003 Bersani, Massimo; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Vanzetti, Lia Emanuela; Anderle, Mariano; Lazzeri, Paolo; B., Crivelli; F., Zanderigo
Boron ultra shallow SIMS profiles optimization using oblique incidence oxygen beam 1-gen-2003 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; E., Boscolo; M., Anderle; Bersani, Massimo
Short-term and long-term RSF repeatability for CAMECA SC-Ultra SIMS measurements 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Sample holder implement for very small samples on SC-Ultra SIMS instrument 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; M., Sbetti; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Arsenic shallow depth profiling: accurate quantification in SiO2/Si stack 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Optimization of secondary ion mass spectrometry ultra-shallow boron profiles using an oblique incidence O2+ beam 1-gen-2004 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo
Low temperature oxidation of SiC preamorphized by ion implantation 1-gen-2004 A., Poggi; R., Nipoti; S., Solmi; Barozzi, Mario; Vanzetti, Lia Emanuela
Non destructive dose determination and depth profiling of arsenic ultrashallow junctions with total reflection X-ray fluorescence analysis compared to dynamic secondary ion mass spectrometry 1-gen-2004 Pepponi, Giancarlo; C., Streli; P., Wobrauschek; N., Zoeger; K., Leuning; P., Pianetta; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; Bersani, Massimo
Rotating stage and shallow depth profiling on Cameca SC-Ultra apparatus 1-gen-2004 S., Pederzoli; Barozzi, Mario; Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo
Induced roughness during SIMS analysis by low energy Cs+ beam 1-gen-2004 Iacob, Erica; Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Bersani, Massimo
As ultra shallow depth profiling: comparison between SIMS and MEIS techniques 1-gen-2004 Giubertoni, Damiano; Barozzi, Mario; S., Pederzoli; Anderle, Mariano; Bersani, Massimo; J. A., van den Berg; M., Werner
SIMS analytical conditions optimized to reduce the morphology induced by sputtering with an oblique O2+ beam 1-gen-2004 Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; S., Pederzoli; Iacob, Erica; Bersani, Massimo
Ultra thin oxynitride profiles by XPS etch-back analyses 1-gen-2004 Vanzetti, Lia Emanuela; Iacob, Erica; Barozzi, Mario; Giubertoni, Damiano; Bersani, Massimo; Anderle, Mariano; P., Bacciaglia; B., Crivelli; M. L., Polignano; M. E., Vitali
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