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Degradation of vertical GaN FETs under gate and drain stress 1-gen-2018 Ruzzarin, M.; Meneghini, M.; De Santi, C.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Sun, M.; Palacios, T.
GaN-based MIS-HEMTs: Impact of cascode-mode high temperature source current stress on NBTI shift 1-gen-2017 Dalcanale, S.; Meneghini, M.; Tajalli, A.; Rossetto, I.; Ruzzarin, M.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.; Moens, P.; Banerjee, A.; Vandeweghe, S.
Gate Stability and Robustness of In-Situ Oxide GaN Interlayer Based Vertical Trench MOSFETs (OG-FETs) 1-gen-2019 Ruzzarin, M.; Borga, M.; Zanoni, E.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Ji, D.; Li, W.; Chan, S. H.; Agarwal, A.; Gupta, C.; Keller, S.; Mishra, U. K.; Chowdhury, S.
Reliability and failure analysis in power GaN-HEMTs: An overview 1-gen-2017 Meneghini, M.; Rossetto, I.; De Santi, C.; Rampazzo, F.; Tajalli, A.; Barbato, A.; Ruzzarin, M.; Borga, M.; Canato, E.; Zanoni, E.; Meneghesso, G.
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