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Boron-interstitial silicon clusters and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon
2000-01-01 Solmi, S; Bersani, Massimo; Sbetti, M; Lundsgaard Hansen, J; Nylandsted Larsen, A
Role of the inversion layer on the charge injection in silicon nanocrystal multilayered light emitting devices
2016-01-01 S., Tondini; Pucker, Georg; L., Pavesi
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
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Boron-interstitial silicon clusters and their effects on transient enhanced diffusion of boron in silicon | 1-gen-2000 | Solmi, S; Bersani, Massimo; Sbetti, M; Lundsgaard Hansen, J; Nylandsted Larsen, A | |
Role of the inversion layer on the charge injection in silicon nanocrystal multilayered light emitting devices | 1-gen-2016 | S., Tondini; Pucker, Georg; L., Pavesi |
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